[發(fā)明專利]用于監(jiān)測線接合中無空氣球(FAB)形成的方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110356332.X | 申請日: | 2011-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN103107111A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 宗飛;貢國良;黃美權(quán);劉赫津 | 申請(專利權(quán))人: | 飛思卡爾半導體公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 金曉 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 監(jiān)測 接合 中無空 氣球 fab 形成 方法 裝置 | ||
1.一種組裝半導體器件期間用于監(jiān)測無空氣球FAB形成的方法,所述方法包括:
將偽接合線連附到半導體芯片載體的第一表面上的未使用位置;
使所述偽接合線從所述第一表面延伸預定的距離,以使得所述偽接合線的尖端與所述第一表面上的未使用位置間隔開;
在所述偽接合線的尖端處形成偽FAB;以及
利用成像單元檢查所述偽FAB的輪廓以識別所述偽FAB中的一個或更多個缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,進一步包括基于識別出一個或更多個缺陷而中斷所述組裝處理。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,進一步包括:
在中斷所述組裝處理之后調(diào)節(jié)一個或更多個線接合參數(shù);以及
利用所調(diào)節(jié)的參數(shù)重新開始所述組裝處理。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,進一步包括基于識別出一個或更多個缺陷而觸發(fā)報警。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述偽接合線沿著基本上垂直于所述第一表面的軸延伸。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其中
所述未使用位置包括未使用的信號引線、未使用的接地引線和半導體芯片載體的系條中的一個;
所述偽接合線由銅構(gòu)成;以及
所述成像單元包括拍攝裝置、光源和顯微鏡中的至少其中之一。
7.一種在組裝半導體器件期間用于監(jiān)測線接合處理中的無空氣球FAB形成的裝置,所述裝置包括:
線接合器,用于利用接合線將半導體管芯接合襯墊與半導體芯片載體的引線電氣地連接,其中所述線接合器將偽接合線連附到所述半導體芯片載體的第一表面上的未使用位置,使所述偽接合線從所述第一表面延伸預定的距離,以使得所述偽接合線的尖端與所述第一表面間隔開,并且在所述偽接合線的尖端上形成偽FAB;
成像單元,用于獲得所述偽FAB的圖像以識別所述偽FAB中的一個或更多個缺陷;以及
處理器,連接到所述成像單元和所述線接合器,所述處理器被配置為基于識別出一個或更多個缺陷而中斷所述線接合器,當所述偽FAB包含一個或更多個缺陷時調(diào)節(jié)一個或更多個線接合參數(shù),并且在調(diào)節(jié)所述一個或更多個線接合參數(shù)之后重新開始所述線接合器以繼續(xù)所述線接合處理。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置,其中所述接合線沿著基本上垂直于所述第一表面的軸延伸所述預定的距離,以及在所述偽FAB中識別出一個或更多個缺陷后,所述處理器產(chǎn)生報警。
9.如權(quán)利要求7所述的裝置,其中所述未使用的位置包括未使用的信號引線、未使用的接地引線和半導體芯片載體的系條中的一個。
10.如權(quán)利要求7所述的裝置,其中所述成像單元包括拍攝裝置、光源和顯微鏡中的至少其中之一。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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