[發(fā)明專利]濺射基于碲化鎘的薄膜光伏器件中使用的硫化鎘層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110356243.5
• 申請日: 2011-10-27
• 公開（公告）號: CN102453863A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發(fā)明（設計）人: R·D·戈斯曼;S·D·費爾德曼-皮博迪
• 申請（專利權）人: 初星太陽能公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/34;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張金金;朱海煜

1.一種在襯底(12)上濺射硫化鎘層(18)的方法，所述方法包括：

在濺射氣氛中從靶(64)在襯底(12)上濺射硫化鎘層(18)，其中所述靶(64)包括按重量約75％至約100％的鎘，并且其中所述濺射氣氛包括含硫的源氣體。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述靶(64)大致上沒有硫。

3.如權利要求1或2所述的方法，其中所述靶(64)基本上由鎘組成。

4.如權利要求1-3中任一項所述的方法，其中所述靶(64)由鎘組成。

5.如權利要求1-4中任一項所述的方法，其中所述濺射氣氛包括按體積約25％至100％、優(yōu)選地按體積約50％至100％的量的大致含硫的源氣體。

6.如權利要求1-5中任一項所述的方法，其中所述含硫的源氣體包括硫氣、硫化氫、二硫化碳、六氟化硫、二氯化硫、二甲基硫醚、鏈烷硫醇、硫醚或其混合物。

7.如權利要求1-6中任一項所述的方法，其中所述含硫的源氣體是硫化氫。

8.如權利要求1-7中任一項所述的方法，其中所述濺射氣氛大致上沒有鹵化物。

9.如權利要求1-8中任一項所述的方法，其中所述濺射氣氛大致上沒有碳。

10.如權利要求1-9中任一項所述的方法，其中所述濺射氣氛進一步包括氧。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述濺射氣氛包括按體積約1％至約25％氧量的氧氣。

12.如權利要求1-11中任一項所述的方法，其中所述濺射氣氛包括吸雜劑。

13.如權利要求1-12中任一項所述的方法，其中所述濺射氣氛具有約10毫托至約150毫托的濺射壓強。

14.一種制造碲化鎘薄膜光伏器件的方法，所述方法包括：

在透明傳導氧化物層上沉積高阻透明緩沖層，其中所述透明傳導氧化物層是在襯底上；

根據(jù)權利要求1-13中任一項所述，在所述高阻透明緩沖層上濺射硫化鎘層；和

在所述硫化鎘層上沉積碲化鎘層。