[發(fā)明專利]磷光化合物和使用它的有機(jī)電致發(fā)光器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110356188.X
• 申請(qǐng)日: 2011-10-28
• 公開（公告）號(hào): CN102558175A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳炯潤(rùn);宋寅范;樸盛熙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): C07D471/04
• 分類號(hào): C07D471/04;C07D519/00;C07D209/86;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/50
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

本申請(qǐng)要求于2010年10月28日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2010-0106234以及于2010年10月29日分別提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2010-0107314、No.10-2010-0107315和No.10-2010-0107316的權(quán)益，在此引用以上全部申請(qǐng)的公開的全部?jī)?nèi)容作為參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及磷光化合物和有機(jī)電致發(fā)光器件(OELD)，并且更具體地，本發(fā)明涉及具有高的三重態(tài)能量的磷光化合物和使用這種磷光化合物的OELD。

背景技術(shù)

OELD通過(guò)這樣的方式發(fā)光：即，將來(lái)自作為電子注入電極的陰極的電子以及來(lái)自作為空穴注入電極的陽(yáng)極的空穴注入發(fā)光化合物層中，使電子與空穴結(jié)合，產(chǎn)生激子，并使激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變到基態(tài)。柔性基板，例如塑料基板，能夠用作底層基板，在所述底層基板上形成元件。由于OELD不需要背光組件，因此OELD的重量輕且能耗低。此外，OELD能夠在比操作其它顯示器件所需的電壓更低的電壓(例如10V或更低)下工作。

摻質(zhì)被添加到發(fā)光層的基質(zhì)中。例如，紅發(fā)光層包括大約30nm的4，4’-N，N’-二咔唑聯(lián)苯(CBP)的基質(zhì)和雙(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮)合銥(III)(Ir(phq)2acac)的摻質(zhì)。摻質(zhì)以大約5至10重量％被加入。

近來(lái)，磷光化合物比熒光化合物更廣泛地應(yīng)用于發(fā)光層。熒光化合物僅利用對(duì)應(yīng)于激子的約25％的單重態(tài)能量來(lái)發(fā)光，而對(duì)應(yīng)于激子的約75％的三重態(tài)能量則以熱量損失。然而，磷光化合物不僅利用單重態(tài)能量而且也利用三重態(tài)能量來(lái)發(fā)光。磷光摻質(zhì)包括位于有機(jī)化合物中心并且具有從三重態(tài)到基態(tài)的高電子躍遷概率的重原子，如銥(Ir)、鉑(Pt)和銪(Eu)。

然而，由于摻質(zhì)的發(fā)光量會(huì)因?yàn)闈舛却銣缍杆贉p少，發(fā)光層不能由摻質(zhì)本身構(gòu)成。因此，將具有摻質(zhì)的基質(zhì)用作發(fā)光層。

在OLED中，來(lái)自陽(yáng)極的空穴和來(lái)自陰極的電子在發(fā)光層的基質(zhì)中結(jié)合以產(chǎn)生單重態(tài)激子和三重態(tài)激子。單重態(tài)激子躍遷到摻質(zhì)的單重態(tài)能級(jí)上或摻質(zhì)的三重態(tài)能級(jí)上。三重態(tài)激子躍遷到摻質(zhì)的三重態(tài)能級(jí)上。由于躍遷到摻質(zhì)的單重態(tài)能級(jí)上的激子會(huì)再躍遷到摻質(zhì)的三重態(tài)能級(jí)上，因此全部激子最終是在摻質(zhì)的三重態(tài)能級(jí)上。在摻質(zhì)的三重態(tài)能級(jí)上的激子躍遷到基態(tài)而發(fā)光。

為了向摻質(zhì)的有效能級(jí)躍遷，基質(zhì)的三重態(tài)能量應(yīng)該比摻質(zhì)的三重態(tài)能量高。然而，參照?qǐng)D1，被廣泛地用于基質(zhì)的CBP具有大約2.6eV的三重態(tài)能量，而磷光摻質(zhì)，例如雙(4，6-二氟苯基吡啶-N-C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)，具有高于2.6eV的三重態(tài)能量。因此，會(huì)產(chǎn)生從摻質(zhì)到基質(zhì)的能量反躍遷而減少發(fā)光量。特別地，在低溫下強(qiáng)烈地產(chǎn)生發(fā)光量減少的現(xiàn)象。為了避免這些問(wèn)題，需要具有高于2.6eV的三重態(tài)能量且具有熱穩(wěn)定性的磷光化合物。

此外，當(dāng)與發(fā)光層毗鄰的空穴傳輸層及電子傳輸層的三重態(tài)能量比摻質(zhì)的三重態(tài)能量小時(shí)，會(huì)產(chǎn)生從基質(zhì)或摻質(zhì)到空穴傳輸層和電子傳輸層的能量反躍遷使得發(fā)光量也減少。因此，基質(zhì)以及空穴傳輸層和電子傳輸層的三重態(tài)能量都很重要。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明涉及磷光化合物和使用所述磷光化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件(OELD)，所述磷光化合物基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)所造成的一或多個(gè)問(wèn)題。

本發(fā)明的一個(gè)目的是提供具有高三重態(tài)能量的磷光化合物。

本發(fā)明的另一目的是提供具有提高的發(fā)光效率的OELD。

本發(fā)明的其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中列出，這些優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)的一些根據(jù)說(shuō)明書的描述將是顯而易見的，或者可從本發(fā)明的實(shí)踐中領(lǐng)會(huì)到。通過(guò)說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)這些目的以及其它優(yōu)點(diǎn)，并且依照本發(fā)明的目的，如這里具體化以及概括描述的，一種磷光化合物由下面的分子式表示：

[分子式]

其中X1、X2、X3、Y1、Y2、Y3、Z1、Z2和Z3各為碳和氮之一，并且X1、X2、X3、Y1、Y2、Y3、Z1、Z2和Z3至少之一是氮，并且其中R1、R2和R3各為氫(H)、氟(F)、氯(Cl)、脂肪族基、芳基、烷基硅基、芳基硅基、烷氧基、芳氧基、烷基磷酰基、烷基硫酰基、芳基硫酰基、烷基氨基和芳基氨基之一。

本發(fā)明的另一方面，一種磷光化合物由下面的分子式表示：

[分子式]