[發明專利]線圈組件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110355862.2
• 申請日: 2011-11-10
• 公開（公告）號: CN102468034A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 西川朋永;吉田誠;伊藤知一;神山浩;奧村武史;中込晶
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01F17/02
• 分類號: H01F17/02;H01F37/00;H01F27/28;H01F41/04
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;張旭東

1.一種線圈組件，所述線圈組件包括：

基板；

薄膜線圈層，所述薄膜線圈層設置在所述基板上；

第一凸塊電極和第二凸塊電極，所述第一凸塊電極和第二凸塊電極設置在所述薄膜線圈層的表面上；

第一引線導體，所述第一引線導體與所述第一凸塊電極和所述第二凸塊電極一起設置在所述薄膜線圈層的表面上，并且所述第一引線導體與所述第一凸塊電極一體地形成；以及

絕緣體層，所述絕緣體層設置在所述第一凸塊電極和所述第二凸塊電極之間，其中

所述薄膜線圈層包含作為平面線圈圖案的第一螺旋導體，

所述第一凸塊電極經過所述第一引線導體連接到所述第一螺旋導體的內周端，并且

所述第二凸塊電極連接到所述第一螺旋導體的外周端。

2.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，所述第一引線導體的高度低于所述第一凸塊電極的高度。

3.根據權利要求1所述的線圈組件，其中，所述第一凸塊電極和所述第二凸塊電極具有相同的平面形狀。

4.根據權利要求1到3中任一項所述的線圈組件，所述線圈組件還包括：

第三凸塊電極和第四凸塊電極，所述第三凸塊電極和所述第四凸塊電極設置在所述薄膜線圈層的表面上；以及

第二引線導體，所述第二引線導體與所述第三凸塊電極和所述第四凸塊電極一起設置在所述薄膜線圈層的表面上，并且所述第二引線導體與所述第三凸塊電極一體形成；其中

所述薄膜線圈層還包括第二螺旋導體，所述第二螺旋導體由磁耦合到所述第一螺旋導體的平面線圈圖案構成，

所述絕緣體層設置在所述第一凸塊電極到所述第四凸塊電極之間，

所述第三凸塊電極經過所述第二引線導體連接到所述第二螺旋導體的內周端，并且

所述第四凸塊電極連接到所述第二螺旋導體的外周端。

5.一種制造線圈組件的方法，所述方法包括以下步驟：

在基板上形成薄膜線圈層，所述薄膜線圈層包含作為平面線圈圖案的螺旋導體，以及

在所述薄膜線圈層上形成凸塊電極和引線導體，其中

所述形成凸塊電極和引線導體的步驟包括以下步驟：

在所述薄膜線圈層的表面上形成基底導電膜，以及

通過以下方式同時形成所述凸塊電極和所述引線導體：在利用第一掩模覆蓋不包括要形成所述凸塊電極和所述引線導體的預定區域的第一區域之后，通過鍍敷使位于將要形成所述凸塊電極的區域中的所述基底導電膜生長到適于所述凸塊電極的預定厚度。

6.一種制造線圈組件的方法，所述方法包括以下步驟：

在基板上形成薄膜線圈層，所述薄膜線圈層包含作為平面線圈圖案的螺旋導體，以及

在所述薄膜線圈層上形成凸塊電極和引線導體，其中

所述形成凸塊電極和引線導體的步驟包括以下步驟：

在所述薄膜線圈層的表面上形成基底導電膜，

通過以下方式同時形成所述凸塊電極和所述引線導體的下部：在利用第一掩模覆蓋不包括要形成所述凸塊電極和所述引線導體的預定區域的第一區域之后，通過鍍敷使所述基底導電膜的露出部分生長到適于所述引線導體的預定厚度，以及

在利用第二掩模覆蓋不包括要形成所述凸塊電極的所述預定區域的第二區域之后，通過鍍敷使所述凸塊電極的所述下部生長到適于所述凸塊電極的預定厚度。