[發明專利]用于濕法腐蝕及清洗工藝的兆聲波換能裝置有效
| 申請號: | 201110355677.3 | 申請日: | 2011-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN102509713A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 吳儀;李春彥 | 申請(專利權)人: | 北京七星華創電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/12 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100016 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 濕法 腐蝕 清洗 工藝 聲波 裝置 | ||
1.一種用于濕法腐蝕及清洗工藝的兆聲波換能裝置,其特征在于,包括:換能器(1)、振子單元(2)、固定裝置(3)、耦合介質層(4)和阻抗變壓器(8),所述振子單元(2)通過所述固定裝置(3)安裝于所述換能器(1)上,所述振子單元(2)與固定裝置(3)之間設有所述耦合介質層(4),所述振子單元(2)由所述阻抗變壓器(8)的功率輸出驅動;所述振子單元(2)包括:至少兩個振子組,其中,每個振子組包括至少一個壓電晶體振子,每個振子組中的多個壓電晶體振子的固有機械振動頻率相當。
2.如權利要求1所述的用于濕法腐蝕及清洗工藝的兆聲波換能裝置,其特征在于,所述每個振子組中的所有壓電晶體振子連接同一功率阻抗變壓器的次級線圈的輸出端。
3.如權利要求1所述的用于濕法腐蝕及清洗工藝的兆聲波換能裝置,其特征在于,還包括用于安裝固定所述振子單元(2)的腔室(5)。
4.如權利要求3所述的用于濕法腐蝕及清洗工藝的兆聲波換能裝置,其特征在于,所述腔室(5)上設有用于引入氣冷流體的入口(6)和用于導出氣冷流體的出口(7)。
5.如權利要求1所述的用于濕法腐蝕及清洗工藝的兆聲波換能裝置,其特征在于,所述壓電晶體振子的形狀包括:環形、扇形、蜂窩式及其組合。
6.如權利要求1所述的用于濕法腐蝕及清洗工藝的兆聲波換能裝置,其特征在于,所述耦合介質層(4)包括:熔點為20攝氏度~100攝氏度的膠水層。
7.如權利要求1所述的用于濕法腐蝕及清洗工藝的兆聲波換能裝置,其特征在于,所述換能器(1)為石英或紅寶石換能器。
8.如權利要求1所述的用于濕法腐蝕及清洗工藝的兆聲波換能裝置,其特征在于,所述壓電晶體振子由經極化處理的鋯鈦酸鉛制備而成。
9.如權利要求1所述的用于濕法腐蝕及清洗工藝的兆聲波換能裝置,其特征在于,所述每個壓電晶體振子采用兩個或兩個以上的兆聲頻率,其中一個兆聲頻率工作于壓電晶體振子的固有機械振動頻率,并且至少一個其他兆聲頻率在圍繞設定中心頻率的一定正負頻率區間內掃描。
10.如權利要求1所述的用于濕法腐蝕及清洗工藝的兆聲波換能裝置,其特征在于,所述每個壓電晶體振子采用的兩個或兩個以上的兆聲頻率的功率輸出并分別連接到功率放大器的阻抗變壓器的不同的初級線圈,每個頻率對應一個初級線圈,每個振子組都有對應其所需不同頻率的不同功率放大器和一個合成用的阻抗變壓器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





