[發(fā)明專利]光錐型高功率耦合器及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110355495.6 | 申請日: | 2011-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN102508335A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅文勇;李詩愈;陳偉;趙磊 | 申請(專利權(quán))人: | 烽火通信科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/26 | 分類號: | G02B6/26;G02B6/255 |
| 代理公司: | 北京捷誠信通專利事務(wù)所(普通合伙) 11221 | 代理人: | 魏殿紳;龐炳良 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光錐型高 功率 耦合器 及其 制造 方法 | ||
1.一種光錐型高功率耦合器,它包括能量光纖(4),其特征在于:它還包括圓臺形光錐(2),所述光錐(2)直徑較大的端面為輸入端面(1),直徑較小的端面為耦合端面(3),耦合端面(3)的直徑與能量光纖(4)的直徑相匹配,光錐(2)通過耦合端面(3)與能量光纖(4)熔接為一體,其外設(shè)有金屬護套。
2.如權(quán)利要求1所述的光錐型高功率耦合器,其特征在于:所述光錐(2)的輸入端面(1)的直徑長度為4~20毫米。
3.如權(quán)利要求1所述的光錐型高功率耦合器,其特征在于:所述光錐(2)的耦合端面(3)的直徑長度為0.13~2毫米。
4.如權(quán)利要求1所述的光錐型高功率耦合器,其特征在于:所述光錐(2)的輸入端面(1)與耦合端面(3)之間的距離為50~1800毫米。
5.如權(quán)利要求1所述的光錐型高功率耦合器,其特征在于:所述護套包括連接為一體的粗環(huán)套管(5)和細環(huán)套管(6),所述粗環(huán)套管(5)的內(nèi)徑與輸入端面(1)的直徑相匹配,細環(huán)套管(6)的內(nèi)徑與能量光纖(4)的直徑相匹配,光錐(2)通過軟膠粘接固定在護套中,輸入端面(1)與粗環(huán)套管(5)的外端平齊。
6.如權(quán)利要求1所述的光錐型高功率耦合器的制造方法,其特征在于包括以下步驟:
A、將光纖預(yù)制棒部分拉制成能量光纖(4)后,將余棒放置到熔融拉錐機上,根據(jù)預(yù)先設(shè)定的圓臺形光錐(2)的輸入端面(1)的直徑進行拉制;
B、設(shè)定與所述能量光纖(4)相匹配的耦合端面(3)的直徑、及光錐(2)的輸入端面(1)與耦合端面(3)之間的距離,通過熔融拉錐機進行拉錐;
C、將光錐(2)的耦合端面(3)與能量光纖(4)熔接為一體;
D、將光錐(2)固定在金屬護套中。
7.如權(quán)利要求6所述的光錐型高功率耦合器的制造方法,其特征在于:步驟A中所述光錐(2)的輸入端面(1)的直徑長度為4~20毫米。
8.如權(quán)利要求7所述的光錐型高功率耦合器的制造方法,其特征在于:步驟B中所述光錐(2)的耦合端面(3)的直徑長度為0.13~2毫米。
9.如權(quán)利要求7所述的光錐型高功率耦合器的制造方法,其特征在于:步驟B中所述光錐(2)的輸入端面(1)與耦合端面(3)之間的距離為50~1800毫米。
10.如權(quán)利要求9所述的光錐型高功率耦合器的制造方法,其特征在于:步驟D包括以下步驟:
D1、選取由內(nèi)徑與輸入端面(1)的直徑相匹配、長度與輸入端面(1)與耦合端面(3)之間距離相匹配的粗環(huán)套管(5)、及內(nèi)徑與能量光纖(4)的直徑相匹配的細環(huán)套管(6)構(gòu)成的護套;
D2、將光錐(2)插入所述護套中,使光錐(2)的輸入端面(1)與護套的粗環(huán)套管(5)的外端平齊,然后在光錐(2)與護套間的空隙部分填入軟膠,將光錐(2)粘接固定在護套中。
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