[發(fā)明專(zhuān)利]水汽探測(cè)用激光芯片的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110355379.4
• 申請(qǐng)日: 2011-11-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102364771A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-02-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于紅艷;周旭亮;邵永波;王寶軍;潘教青;王圩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01S5/343
• 分類(lèi)號(hào): H01S5/343;H01S5/22
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種水汽探測(cè)用激光芯片的制造方法，包括如下步驟：

步驟1：在n型InP襯底上依次外延生長(zhǎng)InP緩沖層、下波導(dǎo)層、多 量子阱結(jié)構(gòu)、上波導(dǎo)層和p-n反型層；

步驟2：采用全息曝光法在p-n反型層和上波導(dǎo)層上制作復(fù)耦合光柵；

步驟3：在復(fù)耦合型光柵上二次外延生長(zhǎng)出第一p-InP蓋層、刻蝕停 止層、第二p-InP蓋層和p-InGaAs接觸層；

步驟4：在第二p-InP蓋層和p-InGaAs接觸層上腐蝕出脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)， 并大面積淀積二氧化硅層；

步驟5：刻蝕掉中間的脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上面的二氧化硅層，形成窗口；

步驟6：在脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和窗口的表面濺射出P面電極并蒸發(fā)出N面 電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水汽探測(cè)用激光芯片的制造方法，其中所述 多量子阱結(jié)構(gòu)中壓應(yīng)變的量子阱材料為InGaAs，應(yīng)變量為2.0-2.4％，壘 材料為與n型InP襯底晶格匹配，帶隙波長(zhǎng)為1.23μm的InGaAlAs。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水汽探測(cè)用激光芯片的制造方法，其中壘材 料InGaAlAs與阱材料InGaAs的導(dǎo)帶能量差比InGaAsP與阱材料InGaAs 的導(dǎo)帶能量差大。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水汽探測(cè)用激光芯片的制造方法，其中所述 下波導(dǎo)層以及上波導(dǎo)層所采用的材料為帶隙波長(zhǎng)為1.3μm的InGaAsP。