[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光器件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110355087.0
• 申請(qǐng)日: 2011-10-28
• 公開（公告）號(hào): CN102456797A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈炫旭;李東柱;金晟泰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星LED株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/40
• 分類號(hào): H01L33/40;H01L33/02
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：

半導(dǎo)體光發(fā)射層疊體，其包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層；以及

高導(dǎo)電性透明電極，其形成在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層中的至少一個(gè)上，并且包括由透明導(dǎo)電氧化物層和透明導(dǎo)電氮化物層中的至少一個(gè)形成的透明電極層和允許可見光譜內(nèi)的光透過的石墨烯層，所述透明電極層和所述石墨烯層是層疊的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述透明電極層形成在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層中的至少一個(gè)上，并且所述石墨烯層形成在所述透明電極層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述石墨烯層形成在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層中的至少一個(gè)上，并且所述透明電極層形成在所述石墨烯層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述石墨烯層介于所述透明電極層之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述透明電極層和所述石墨烯層分別設(shè)置為多個(gè)透明電極層和多個(gè)石墨烯層，并且所述高導(dǎo)電性透明電極具有其中所述多個(gè)透明電極層和所述多個(gè)石墨烯層交替地層疊的結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述透明導(dǎo)電氧化物層由選自以下物質(zhì)構(gòu)成的組中的至少一種構(gòu)成：氧化銦、氧化錫、氧化銦錫、氧化鋅、氧化鎂、氧化鎘、氧化鎂鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫、氧化銅鋁、氧化銀、氧化鎵、氧化鋅錫和氧化鋅銦錫。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述透明導(dǎo)電氮化物層由選自以下物質(zhì)構(gòu)成的組中的至少一種構(gòu)成：氮化鈦、氮化鉻、氮化鎢、氮化鉭和氮化鈮。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述半導(dǎo)體光發(fā)射層疊體由Al_xIn_yGa_(1-x-y)AlN層形成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括：形成在所述透明電極層和所述至少一個(gè)導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的歐姆接觸層。