[發明專利]用于背面照明傳感器的共同注入

在審

• 申請號: 201110354962.3
• 申請日: 2011-11-10
• 公開（公告）號: CN102856330A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 陳政聰;黃薰瑩;張永承;葉永富;陳毓萍;梁啟源;呂受書;陳俊霖;陳家仁;申弘道;謝奇勛
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種器件，包括：

襯底，具有像素區，所述襯底包括第一面和與所述第一面相對的第二面，所述襯底具有第一組分；

感光元件，靠近所述像素區中的所述襯底的所述第一面；以及

共同注入區，被設置為比所述感光元件更靠近所述襯底的所述第二面，所述共同注入區包括導電摻雜劑和既非p型摻雜劑也非n型摻雜劑的材料，所述共同注入區具有不同于所述第一組分的第二組分。

2.根據權利要求1所述的器件，其中所述材料包括Ge、C、N、F、或其組合；或者

所述感光元件包括p-n結。

3.根據權利要求1所述的器件，進一步包括濾色器，所述濾色器位于所述襯底的所述第二面上并被設置為用于過濾照射在所述感光元件上的光；或者

進一步包括微透鏡，所述微透鏡位于所述襯底的所述第二面上并被設置為用于將光聚焦在所述感光元件上。

4.一種器件，包括：

襯底；

第一導電類型的第一摻雜區，在所述襯底中形成；

第二導電類型的第二摻雜區，在鄰近所述第一摻雜區以及位于所述第一摻雜區下方的所述襯底中形成；以及

第一導電類型的第三摻雜區，在所述第二摻雜區遠離所述第一摻雜區的相對面上形成，所述第三摻雜區注入有既非p型摻雜劑也非n型摻雜劑的材料。

5.根據權利要求4所述的器件，其中所述材料包括Ge、C、N、F、或其組合；或者

所述第一摻雜區和所述第二摻雜區包括p-n結。

6.根據權利要求4所述的器件，進一步包括濾色器，所述濾色器位于所述襯底的所述相對面上；或者

進一步包括微透鏡，所述微透鏡位于所述襯底的所述相對面上。

7.一種方法，包括：

在襯底中沿著所述襯底的第一面形成第一摻雜區，以及在所述第一摻雜區下方形成第二摻雜區，所述第一摻雜區具有第一導電類型的摻雜劑，所述第二摻雜區具有第二導電類型的摻雜劑；

將第一材料注入到所述襯底的第二面內，所述第一材料是既非p型摻雜劑也非n型摻雜劑的材料；以及

在所述襯底中沿著所述襯底的所述第二面形成第三摻雜區，所述第三摻雜區被設置在所述第二摻雜區遠離所述第一摻雜區的相對面上，所述第三摻雜區具有所述第一導電類型的摻雜劑。

8.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：在形成所述第三摻雜區之后實施退火；或者

所述第一材料包括鍺、碳、氮、氟、或者其組合；或者

進一步包括薄化所述襯底的所述第二面。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述薄化在形成所述第一摻雜區之后實施；或者

所述薄化在形成所述第二摻雜區之前實施；或者

所述薄化在形成所述第三摻雜區之前實施。

10.根據權利要求7所述的方法，進一步包括在所述襯底的所述第二面上形成抗反射層；或者

進一步包括在所述襯底的所述第二面上形成濾色器；或者

進一步包括在所述襯底的所述第二面上形成微透鏡。