[發明專利]晶體管的制造方法有效
| 申請號： | 201110354662.5 | 申請日： | 2011-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN103021859A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 蘇國輝;陳逸男;劉獻文 | 申請（專利權）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 中國臺灣桃園縣龜山*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體管 制造 方法 | ||
1.一種晶體管的制造方法，包括：
在基底上形成圖案化犧牲層，所述圖案化犧牲層包括多個開口，所述開口暴露所述基底；
透過所述圖案化犧牲層為掩模，對所述基底進行摻雜制程，以在所述開口所暴露的基底中形成源極摻雜區與漏極摻雜區；
進行選擇性成長制程，以分別在所述源極摻雜區與所述漏極摻雜區上形成源極與漏極；
移除所述圖案化犧牲層，以暴露所述源極與所述漏極之間的所述基底；以及
在所述源極與所述漏極之間的所述基底上形成柵極。
2.根據權利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述源極與所述漏極的高度為15nm至50nm。
3.根據權利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述選擇性成長制程包括選擇性硅成長制程。
4.根據權利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述圖案化犧牲層的材料包括氧化硅。
5.根據權利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述圖案化犧牲層的厚度為小于或等于10nm。
6.根據權利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，移除所述圖案化犧牲層的方法包括剝除法。
7.根據權利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵極包括依序配置在所述基底上的柵介電層與柵極導體層。
8.根據權利要求7所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵極導體層包括多晶硅層與硅化金屬層。
9.根據權利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵極的形成方法包括：
在所述基底上形成柵介電材料層，所述柵介電材料層覆蓋所述源極與所述漏極；
在所述柵介電材料層上形成柵極導體材料層；以及
透過所述源極與所述漏極的頂部為研磨終止層，對所述柵介電材料層與所述柵極導體材料層進行平坦化制程。
10.根據權利要求9所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述平坦化制程包括化學機械研磨制程。
11.根據權利要求9所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵極導體材料層包括多晶硅材料層與硅化金屬材料層。
12.根據權利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，更包括在所述基底上形成絕緣層，以覆蓋所述柵極、所述源極以及所述漏極。
13.根據權利要求12所述的晶體管的制造方法，其特征在于，更包括在所述絕緣層中形成多個接觸窗，以分別電性連接所述源極與所述漏極。
14.根據權利要求12所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述絕緣層的材料包括四乙氧基硅烷或硼磷硅玻璃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
