[發明專利]增加聚硅氮烷和氮化硅間黏性和形成溝槽隔離結構的方法

有效

• 申請號: 201110354595.7
• 申請日: 2011-11-10
• 公開（公告）號: CN102768978A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 施信益;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種增加聚硅氮烷和氮化硅間黏著性的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括溝槽；

在所述溝槽的底部和側壁形成氮化硅襯層；

對所述氮化硅襯層進行處理制程，產生具有OH基團的親水表面，以增加氮化硅襯層和后續步驟形成的聚硅氮烷涂布層的黏著性；及

在所述溝槽的氮化硅襯層上形成聚硅氮烷涂布層。

2.根據權利要求1所述的增加聚硅氮烷和氮化硅間黏著性的方法，其特征在于對所述氮化硅襯層進行處理制程的步驟包括：

使用去離子水、酸性溶液或堿性溶液處理所述氮化硅襯層。

3.根據權利要求2所述的增加聚硅氮烷和氮化硅間黏著性的方法，其特征在于所述酸性溶液包括氯化氫HCl或HPM，所述HPM為HCl/H₂O₂/H₂O。

4.根據權利要求3所述的增加聚硅氮烷和氮化硅間黏著性的方法，其特征在于所述HPM具有以下比例：HCl/H₂O₂/H₂O＝1/2/50。

5.根據權利要求2所述的增加聚硅氮烷和氮化硅間黏著性的方法，其特征在于所述堿性溶液包括氫氧化鉀KOH、氫氧化四甲基銨溶液或APM，所述APM為NH₄OH/H₂O₂/H₂O。

6.根據權利要求5所述的增加聚硅氮烷和氮化硅間黏著性的方法，其特征在于所述APM具有以下比例：NH₄OH/H₂O₂/H₂O＝1/1/50。

7.根據權利要求2所述的增加聚硅氮烷和氮化硅間黏著性的方法，其特征在于所述處理制程的制程溫度為室溫至100℃。

8.根據權利要求1所述的增加聚硅氮烷和氮化硅間黏著性的方法，其特征在于對所述氮化硅襯層進行處理制程的步驟包括：

使用蒸氣處理所述氮化硅襯層。

9.根據權利要求8所述的增加聚硅氮烷和氮化硅間黏著性的方法，其特征在于所述蒸氣處理制程的溫度為100℃～200℃。

10.根據權利要求8所述的增加聚硅氮烷和氮化硅間黏著性的方法，更包括平坦化所述氧化硅層。

11.根據權利要求1所述的增加聚硅氮烷和氮化硅間黏著性的方法，更包括加熱所述基底，氧化所述聚硅氮烷涂布層，形成氧化硅層。

12.一種形成溝槽隔離結構的方法，其特征在于，包括：

提供基底；

于所述基底中形成溝槽；

形成氮化硅襯層于所述溝槽的底部和側壁；

對所述氮化硅襯層進行處理制程，產生具有OH基團的親水表面，以增加氮化硅襯層和后續步驟形成的聚硅氮烷涂布層的黏著性；及

于所述溝槽的氮化硅襯層上形成聚硅氮烷涂布層；

加熱所述基底，氧化所述聚硅氮烷涂布層，以形成一氧化硅層；及

平坦化所述氧化硅層。

13.根據權利要求12所述的形成溝槽隔離結構的方法，其特征在于對所述氮化硅襯層進行處理制程的步驟包括：

使用去離子水、酸性溶液或堿性溶液處理所述氮化硅襯層。

14.根據權利要求13所述的形成溝槽隔離結構的方法，其特征在于所述所述酸性溶液包括氯化氫HCl或HPM，所述HPM為HCl/H₂O₂/H₂O。

15.根據權利要求14所述的形成溝槽隔離結構的方法，其特征在于所述HPM具有以下比例：HCl/H₂O₂/H₂O＝1/2/50。

16.根據權利要求13所述的形成溝槽隔離結構的方法，其特征在于所述堿性溶液包括氫氧化鉀KOH、氫氧化四甲基銨溶液或APM，所述APM為NH₄OH/H₂O₂/H₂O。