[發明專利]切割芯片粘合膜、切割芯片粘合膜用組合物和半導體裝置

有效

• 申請號: 201110354111.9
• 申請日: 2011-11-10
• 公開（公告）號: CN102533148A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 片雅濫;魚東善;黃珉珪;宋基態;趙敬來;金志浩
• 申請（專利權）人: 第一毛織株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;C09J133/08;C09J163/00;C09J175/04;C09J175/14;H01L21/68;H01L21/58
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 陳萬青;王珍仙

1.一種切割芯片粘合膜，包括：

鄰接基膜的第一表面(A)和鄰接半導體晶片的第二表面(B)，

所述第二表面在200mJ/cm²下的光固化中具有比所述第一表面高的剝離強度，并具有由等式1確定的大于0且小于50％的光固化程度：

[等式1]

Pa：UV固化后的雙鍵峰面積

Pb：UV固化前的雙鍵峰面積。

2.根據權利要求1所述的切割芯片粘合膜，其中所述第一表面具有低于0.1N/25mm的剝離強度。

3.根據權利要求1所述的切割芯片粘合膜，其中所述第二表面具有0.2N/25mm或更高的剝離強度。

4.根據權利要求1所述的切割芯片粘合膜，其中所述第一表面的剝離強度與所述第二表面的剝離強度之比為1∶5至1∶30。

5.根據權利要求1所述的切割芯片粘合膜，其中所述第一表面具有90％至99％的光固化程度，且第二表面具有10％至50％的光固化程度。

6.根據權利要求1所述的切割芯片粘合膜，其中所述切割芯片粘合膜為單層。

7.根據權利要求1所述的切割芯片粘合膜，其中所述切割芯片粘合膜包括選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。

8.根據權利要求1所述的切割芯片粘合膜，其中所述切割芯片粘合膜包括光固化聚合物樹脂、環氧樹脂、固化劑、硅烷偶聯劑以及選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。

9.根據權利要求8所述的切割芯片粘合膜，其中所述切割芯片粘合膜包括35wt％至85wt％的光固化聚合物樹脂、5wt％至20wt％的環氧樹脂、3wt％至10wt％的固化劑、0.1wt％至10wt％的硅烷偶聯劑以及0.5wt％至25wt％的選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中的金屬氧化物顆粒。

10.根據權利要求8所述的切割芯片粘合膜，其中所述切割芯片粘合膜進一步包括(甲基)丙烯酸酯樹脂、聚氨酯樹脂和聚氨酯丙烯酸酯樹脂中的至少一種。

11.根據權利要求8所述的切割芯片粘合膜，其中所述光固化聚合物樹脂在側鏈具有不飽和鍵。

12.根據權利要求8所述的切割芯片粘合膜，其中所述金屬氧化物顆粒具有1nm至10μm的粒徑D50。

13.一種用于切割芯片粘合膜的組合物，包括：光固化聚合物樹脂；環氧樹脂；固化劑；硅烷偶聯劑；和金屬氧化物顆粒。

14.根據權利要求13所述的用于切割芯片粘合膜的組合物，其中所述組合物包括35wt％至85wt％的光固化聚合物樹脂、5wt％至20wt％的環氧樹脂、3wt％至10wt％的固化劑、0.1wt％至10wt％的硅烷偶聯劑以及0.5wt％至25wt％的金屬氧化物顆粒。

15.根據權利要求13所述的用于切割芯片粘合膜的組合物，其中所述組合物進一步包括(甲基)丙烯酸酯樹脂、聚氨酯樹脂和聚氨酯丙烯酸酯樹脂中的至少一種。

16.根據權利要求13所述的用于切割芯片粘合膜的組合物，其中所述金屬氧化物顆粒選自二氧化鈦、氧化鋅和它們的組合中。

17.根據權利要求13所述的用于切割芯片粘合膜的組合物，其中所述金屬氧化物顆粒具有1nm至10μm的粒徑D50。

18.一種半導體裝置，使用權利要求1至12中任意一項所述的切割芯片粘合膜。

19.一種半導體裝置，使用權利要求13至17中任意一項所述的用于切割芯片粘合膜的組合物。