[發明專利]基于歸一化最速下降法光刻配置參數的優化方法

有效

• 申請號: 201110353893.4
• 申請日: 2011-11-09
• 公開（公告）號: CN102346380A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 李艷秋;郭學佳
• 申請（專利權）人: 北京理工大學
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京理工大學專利中心 11120
• 代理人: 李愛英;楊志兵

技術領域

本發明涉及一種基于歸一化最速下降法的光刻配置參數優化方法，屬于光刻機配置參數協同優化設計領域。?

背景技術

光學光刻是光刻機用光學投影曝光的方法將掩模板上的電路器件結構圖形刻蝕到硅片上的過程。光刻機主要由光源、照明系統、掩模臺、投影物鏡以及硅片工件臺五部分組成。為了實現良好的光刻性能，達到較大的光刻焦深，需要合理配置光刻機各部分參數，如投影物鏡數值孔徑NA的大小、照明相干因子Sigma的值、偏振光類型、光刻膠厚度以及掩模Bias大小等。?

評價光刻性能的指標主要有：圖形對比度Contrast、歸一化對數斜率NILS以及光刻焦深DOF等。光刻焦深是評價光刻系統性能的主要參數之一，光刻焦深定義為：在一定的曝光劑量變化范圍EL內，光刻膠圖形在一定的尺寸誤差、側壁角、光刻膠損失的約束條件下，所能實現的最大離焦量。光刻焦深越大，光刻性能越好。?

光刻配置參數優化是合理的配置光刻系統中器件結構參數、曝光工藝參數、分辨率增強技術(離軸照明、相移掩模、光學臨近效應校正)、工藝疊層參數等多個系統參數，統籌考慮不同因素在其不同限定條件下的約束，以實現最優的光刻性能。?

當前，已有很多優化光刻配置參數的方法(李艷秋等，光學參數配置對ArF光刻性能影響研究[J].電子工業專用設備，2004，33(4)：36-39.)。但是，當前的光刻配置參數優化方法僅限于對一個或兩個光刻配置參數的優化，要使光刻機的性?能達到最優，光刻機中每個參數均應合理配置；同時，當前的研究主要應用遍歷仿真的方法確定光刻配置參數，計算量非常大，且精度低，難以找出最優的光刻配置參數。?

發明內容

本發明的目的是提供一種基于歸一化最速下降法光刻配置參數的優化方法；該方法同時對多種光刻配置參數進行優化配置，可使優化后的光刻機達到良好的光刻性能，且優化效率高。?

實現本發明的技術方案如下：?

一種基于歸一化最速下降法光刻配置參數的優化方法，具體步驟為：?

步驟101、確定欲優化的n種光刻配置參數，針對每一種光刻配置參數選定一初始值構成1×n維矩陣{s_i}₁＝{s₁，s₂，L，s_n}₁，i＝{1，2，L，n}；確定每種光刻配置參數的變化范圍{s_i∈[a_i，b_i]}＝{[a₁，b₁]，[a₂，b₂]L，[a_n，b_n]}，確定每種光刻配置參數用于求解差商的歸一化差值{Δx_i∈(0，1]}，其中|Δx_i|＜＜1；給定優化精度允許誤差ε＞0，最大一維搜索次數k_max，并令循環次數k＝1；?

步驟102、確定用于評價光刻性能的m種光刻性能評價指標y_j，j＝{1，2，L，m}，并構造光刻性能綜合評價函數?其中γ_j為針對各光刻性能評價指標設定的比重值；?

步驟103、對循環次數k進行判斷，若k≤k_max，則進入步驟104，若k＞k_max，則進入步驟109；?

步驟104、將光刻配置參數{s_i}_k歸一化，即令?即集合{x_i}_k中的每一元素的范圍都在0至1之間；?