[發明專利]源、掩模和投影光學裝置的優化流程

有效

• 申請號: 201110353099.X
• 申請日: 2011-11-09
• 公開（公告）號: CN102540754A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 徐端孚;陳洛祁;馮函英;R·C·豪威爾;周新建;陳逸帆
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/36
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

1.一種用于利用光刻投影設備改進用于將設計布局的一部分成像到襯底上的光刻過程的方法，所述光刻投影設備包括照射源和投影光學裝置，所述方法包括步驟：

從所述設計布局的所述部分選取一子組圖案且選取初始的照射源；

同時優化所述子組圖案和所述照射源；和

通過利用所述優化的照射源來優化所述投影光學裝置的特性。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述同時優化所述子組圖案和所述照射源的步驟通過選擇性地重復下述步驟來執行：

定義多個第一設計變量的第一多變量成本函數，所述多個第一設計變量是所述光刻過程的特性，所述多個第一設計變量中的至少一些設計變量是所述照射源的特性和所述子組圖案的特性；

迭代地重新配置所述多個第一設計變量，直到第一預定的終止條件被滿足為止。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述優化所述投影光學裝置的特性的步驟通過選擇性地重復下述步驟來執行：

定義多個第二設計變量的第二多變量成本函數，所述多個第二設計變量是所述光刻過程的特性，所述第二成本函數的多個第二設計變量中的至少一些設計變量是所述投影光學裝置的特性；

迭代地重新配置所述多個第二設計變量，直到第二預定的終止條件被滿足為止。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述設計布局的所述部分包括下述中的一個或更多個：整個設計布局、片段、已知具有一個或更多的臨界特征的一段設計布局、已經從全芯片模擬識別出熱點或溫點的一段設計布局以及已經通過圖案選擇方法識別出一個或更多的臨界特征的一段設計布局。

5.根據權利要求2或3所述的方法，其中所述第一和/或第二預定的終止條件包括下述中的一個或更多個：所述成本函數的最小化；所述成本函數的最大化；達到預設的迭代次數；達到等于或超過預設閾值的所述成本函數的值；達到預定的計算時間；達到預定的過程窗口；和達到在可接受的誤差界限內的所述成本函數的值。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法還包括步驟：

利用所述優化的照射源和所述優化的投影光學裝置，用于進一步優化所述子組圖案。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述利用所述優化的照射源和所述優化的投影光學裝置進一步優化所述子組圖案的步驟通過選擇性地重復下述步驟來執行：

定義多個第三設計變量的第三多變量成本函數，所述第三設計變量是所述光刻過程的特性，所述第三成本函數的所述多個第三設計變量中的至少一些設計變量是所述子組圖案的特性；和

迭代地重新配置所述多個第三設計變量，直到第三預定的終止條件被滿足為止。

8.根據權利要求6所述的方法，其中在利用之前優化的所述投影光學裝置和所述優化的照射源的同時優化所述子組圖案的步驟、和在利用之前優化的子組圖案和所述優化的照射源的同時優化所述投影光學裝置的步驟被迭代地執行，直到第四預定的終止條件被滿足為止。

9.根據權利要求3所述的方法，其中所述第二成本函數的多個第二設計變量包括所述投影光學裝置的特性和所述子組圖案的特性。

10.根據權利要求2、3或7所述的方法，其中所述迭代地重新配置步驟中的至少一個步驟在沒有約束條件或具有規定所述設計變量中的至少一些設計變量的范圍的約束條件的情況下進行。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述設計變量中的至少一些設計變量處于代表在所述光刻投影設備的硬件實施中的物理限制的約束條件的約束之下。

12.根據權利要求2、3或7所述的方法，其中所述成本函數是所述下述光刻指標的一個或更多個指標的函數：邊緣定位誤差、臨界尺寸、抗蝕劑輪廓距離、最差缺陷尺寸和最佳焦距偏移。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法包括在執行所述優化過程的步驟之前選擇子組目標圖案，所述目標圖案在特性上代表所述設計布局的所述部分的特征。

14.根據權利要求2、3或7所述的方法，其中所述成本函數包括抗蝕劑圖像或空間圖像的特性。

15.根據權利要求2、3或7所述的方法，其中所述成本函數代表在所述設計布局的所述部分中找到熱點的概率。