[發(fā)明專利]具有調(diào)制摻雜分布布拉格反射層的發(fā)光二極管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110352193.3
• 申請日: 2011-11-09
• 公開（公告）號: CN102427105A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳凱軒;張雙翔;蔡建九;林志偉;林志園
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/02
• 代理公司: 廈門市新華專利商標(biāo)代理有限公司 35203
• 代理人: 李寧;唐紹烈

1.具有調(diào)制摻雜分布布拉格反射層的發(fā)光二極管，其特征在于：提供一襯底，在襯底的下表面具有第一電極，在襯底的上表面依次有分布布拉格反射層、第一型外延層、有源層、第二型外延層、電流擴展層，第二電極形成于電流擴展層之上，分布布拉格反射層由兩種不同材料組成，在分布布拉格反射層的兩種不同材料中摻入摻雜源，在兩種材料的界面處采用Delta摻雜。

2.如權(quán)利要求1所述的具有調(diào)制摻雜分布布拉格反射層的發(fā)光二極管，其特征在于：所述分布布拉格反射層由AlAs、GaAs、AlGaAs、AlInP、GaInP和AlGaInP的其中兩種組成。

3.如權(quán)利要求1所述的具有調(diào)制摻雜分布布拉格反射層的發(fā)光二極管，其特征在于：在組成分布布拉格反射層的第一種材料中使用第一種摻雜源，摻雜濃度范圍在10¹⁷~10¹⁹?cm^-3，在組成分布布拉格反射層的第二種材料中使用第二種摻雜源，摻雜濃度范圍在10¹⁷~10¹⁹?cm^-3，在第一種材料與第二種材料的界面處采用Delta摻雜，其摻雜濃度＞10²⁰?cm^-3。

4.如權(quán)利要求1所述的具有調(diào)制摻雜分布布拉格反射層的發(fā)光二極管，其特征在于：在組成分布布拉格反射層的第一種材料中交替摻入第一種摻雜源和第二種摻雜源，在組成分布布拉格反射層的第二種材料中也交替摻入第一種摻雜源和第二種摻雜源，摻雜源的摻雜濃度范圍在10¹⁷~10¹⁹?cm^-3，在第一種材料與第二種材料的界面處采用Delta摻雜，其摻雜濃度＞10²⁰?cm^-3。

5.如權(quán)利要求1所述的具有調(diào)制摻雜分布布拉格反射層的發(fā)光二極管，其特征在于：在組成分布布拉格反射層的第一種材料中同時摻入第一種摻雜源和第二種摻雜源，在組成分布布拉格反射層的第二種材料中也同時摻入第一種摻雜源和第二種摻雜源，摻雜源的摻雜濃度范圍在10¹⁷~10¹⁹?cm^-3，在第一種材料與第二種材料的界面處采用Delta摻雜，其摻雜濃度＞10²⁰cm^-3。

6.如權(quán)利要求1所述的具有調(diào)制摻雜分布布拉格反射層的發(fā)光二極管，其特征在于：所述摻雜源為S、Se、Te、Si、Ge、Mg、Zn、Cd和C中的一種。