[發明專利]頂頭中溫氧化工藝方法

無效

• 申請號: 201110352069.7
• 申請日: 2011-11-09
• 公開（公告）號: CN102383086A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 嚴銀霞;趙洪敏;張錫禎;趙峰
• 申請（專利權）人: 天津機輛軌道交通裝備有限責任公司
• 主分類號: C23C8/18
• 分類號: C23C8/18
• 代理公司: 天津盛理知識產權代理有限公司 12209
• 代理人: 王融生

1.一種頂頭中溫氧化工藝方法，其特征是：

(1)將頂頭擦試干凈達到無油污，頭朝上碼放在氧化筐中等待裝爐，要求每個頂頭之間、頂頭與筐壁之間的距離不少于5mm；

(2)當氣體滲碳爐爐溫升到900℃后，往爐膛內通入酒精及氮氣，并保持30分鐘以上，再把已裝好頂頭的氧化筐裝入爐中，封好爐門，使爐子升溫，繼續往爐膛內通入80滴/分的酒精及100ml/分氮氣，直至爐溫升至940℃，再往爐膛內通入140滴/分的水，保持120分鐘后，再降低水的通入量到100滴/分，調節爐子保溫溫度至930℃、920℃、910℃，并且每個溫度段停留30分鐘，然后關閉爐子加熱系統，停止水的通入，調整酒精通入量到30滴/分，直至爐溫降到870℃以下出爐，氧化過程完成。

2.一種頂頭中溫氧化工藝方法，其特征是：采用的氣體滲碳爐為普通氣體滲碳爐。