[發明專利]磷化銦晶片及其表面清洗方法

有效

• 申請號: 201110352001.9
• 申請日: 2011-11-08
• 公開（公告）號: CN102456549A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 徐衛;任殿勝;李娟;劉文森
• 申請（專利權）人: 北京通美晶體技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 鐘守期;王媛

1.一種清洗磷化銦晶片的方法，包括以下步驟：

(1)在-10至25℃用一種含有H₂O₂的氨水溶液處理晶片；

(2)用去離子水洗滌晶片；

(3)在-10至55℃用一種濃酸處理晶片；

(4)用去離子水洗滌晶片；

(5)在-10至35℃用一種有機酸溶液處理晶片；

(6)用去離子水洗滌晶片；以及

(7)干燥所得晶片。

2.權利要求1的方法，其中步驟(1)使用的晶片是已經完成機械化學拋光和化學精細拋光的晶片，其拋光面表面微觀粗糙度Ra≤0.5nm。

3.權利要求1的方法，其中步驟(1)中氨水的濃度C₁、處理溫度T₁和處理時間P₁滿足以下關系：

30≤C₁×P₁×(T₁+273.15)/1000≤1,100

上式中，濃度單位為重量百分比濃度，處理溫度為攝氏度，處理時間為秒。

4.權利要求1的方法，其中在步驟(3)之后、步驟(4)之前，還包括一個步驟(3A)：在-10至30℃用一種濃酸處理晶片。

5.權利要求1的方法，其中步驟(3)和(3A)使用的所述濃酸為無機酸，其濃度為其操作溫度的飽和濃度的60％以上。

6.權利要求4的方法，其中步驟(3)的酸的濃度C₃、處理溫度T₃和處理時間P₃與步驟(3A)的酸的濃度C_3A、處理溫度T_3A和處理時間P_3A之間滿足以下關系：

2×C_3A×P_3A×(T_3A+273.15)≤C₃×P₃×(T₃+273.15)

≤3×C_3A×P_3A×(T_3A+273.15)

上式中，濃度單位為重量百分比濃度，處理溫度為攝氏度，處理時間為秒。

7.權利要求1的方法，其中步驟(5)的酸為檸檬酸。

8.權利要求4的方法，其中步驟(3)的酸的濃度C₃、處理溫度T₃和處理時間P₃與步驟(3A)的酸的濃度C_3A、處理溫度T_3A和處理時間P_3A以及與步驟(5)中酸的濃度C₅、處理溫度T₅和處理時間P₅滿足以下關系：

1/12[C₃×P₃×(T₃+273.15)+C_3A×P_3A×(T_3A+273.15)]

≤C₅×P₅×(T₅+273.15)

≤1/4[C₃×P₃×(T₃+273.15)+C_3A×P_3A×(T_3A+273.15)]，

上式中，濃度單位為重量百分比濃度，處理溫度為攝氏度，處理時間為秒。

9.一種磷化銦晶片，其中每平方厘米晶片表面截面積中大于0.11μm²的顆粒≤3.3顆/cm²，晶片表面的金屬殘留Cu≤10×10¹⁰原子/cm²，Zn≤10×10¹⁰原子/cm²，表面平均白霧值≤1.0ppm。

10.權利要求9的磷化銦晶片，其為磷化銦(111)B或磷化銦(311)B晶向角度晶片。