[發明專利]一種抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶對甲苯磺酸鹽晶體生長過程中出現雜晶的方法

有效

• 申請號: 201110350938.2
• 申請日: 2011-11-08
• 公開（公告）號: CN102560678A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 羅軍華;孫志華;陳天亮;洪茂椿
• 申請（專利權）人: 中國科學院福建物質結構研究所
• 主分類號: C30B29/54
• 分類號: C30B29/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶對甲基苯磺酸鹽晶體的生長方法，其特征在于：在晶體的生長過程中，采用活性炭顆粒作為吸附劑。

2.一種權利要求1所述的4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶對甲基苯磺酸鹽晶體的生長方法，其特征在于：在晶體的生長過程中，采用比表面積為200~1000?m²/g的顆粒狀或柱狀活性炭作為吸附劑。

3.一種權利要求1所述的4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶對甲基苯磺酸鹽晶體的生長方法，其特征在于：在晶體的生長過程中，采用平均孔徑約為200nm、平均比表面積為750?m²/g的柱狀活性炭作為吸附劑。

4.一種權利要求1所述的4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶對甲基苯磺酸鹽晶體的生長方法，其特征在于：在晶體的生長過程中，采用平均比表面積為1000?m²/g的顆粒狀或柱狀活性炭作為吸附劑。

5.應用于權利要求1-4其中任一所述生長方法的設備，其特征在于：容器底部采用聚四氟乙烯薄板固定活性炭顆粒，載晶器斜板上存在凹槽。

6.如權利要求1-4所述其中任一所述生長方法的用途，其特征在于：可以增加DAST晶體生長溶液的亞穩相區間，減少微晶的聚集趨勢，提高溶液的穩定性，用于獲得高質量的DAST晶體。