[發明專利]結勢壘肖特基整流器及其制造方法

無效

• 申請號: 201110350832.2
• 申請日: 2007-04-03
• 公開（公告）號: CN102376778A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 邁克爾·S·馬佐拉;成林
• 申請（專利權）人: SSSCIP有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/04
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種半導體器件，包括：

襯底層，其包括第一傳導類型的半導體材料；

漂移層，其包括所述第一傳導類型的半導體材料，其中所述漂移層位于所述襯底層上，或者所述漂移層位于緩沖層上，所述緩沖層包括所述第一傳導類型的半導體材料，并且所述緩沖層位于所述襯底層上；

中央區，其包括在所述漂移層的中央部分上的、不同于所述第一傳導類型的第二傳導類型的半導體材料的多個區域，所述第二傳導類型的半導體材料的所述區域具有上表面和側壁；

所述第一傳導類型的外延半導體材料的漂移區，其位于與所述第二傳導類型的半導體材料的所述多個區域相鄰的漂移層上；

位于所述襯底一側上的歐姆接觸，所述一側為與漂移層所在側相反的一側；

位于所述中央區上的歐姆接觸；

金屬層，位于所述中央區上的歐姆接觸上；以及

肖特基金屬層，與所述漂移區的至少一部分相接觸，

其中，所述肖特基金屬層與所述中央區上的歐姆接觸上的金屬層電連接。

2.如權利要求1所述的器件，其中所述第二傳導類型的半導體材料的所述區域包括間隔開的、伸長的多個段，所述多個段具有相對的第一端部和第二端部。

3.如權利要求1所述的器件，其中所述第一傳導類型的外延半導體材料的漂移區位于所述第二傳導類型的半導體材料的所述多個區域的所述上表面上。

4.如權利要求1所述的器件，其中所述器件包括所述緩沖層。

5.如權利要求4所述的器件，其中所述緩沖層的摻雜濃度大于1×10¹⁸/cm³，并且/或者所述緩沖層的厚度為0.5μm。

6.如權利要求1所述的器件，其中所述襯底層、所述漂移層、所述中央區和所述漂移區的半導體材料均為碳化硅。

7.如權利要求1所述的器件，其中所述第一傳導類型的半導體材料是n型半導體材料，并且所述第二傳導類型的半導體材料是p型半導體材料。

8.如權利要求1所述的器件，其中所述漂移層的厚度大于1μm。

9.如權利要求1所述的器件，其中所述中央區的厚度大于0.5μm。

10.如權利要求1所述的器件，其中所述中央區的摻雜濃度大于或等于1×10¹⁹/cm³。

11.如權利要求1所述的器件，其中所述襯底層的摻雜濃度大于1×10¹⁸/cm³。

12.如權利要求1所述的器件，其中所述漂移層和所述漂移區的摻雜濃度均處于1×10¹⁴/cm³至1×10¹⁷/cm³之間。

13.如權利要求1所述的器件，其中所述漂移區的摻雜濃度與所述漂移層不同。

14.如權利要求1所述的器件，其中所述第二傳導類型的半導體材料的所述區域進一步包括第一匯流條和第二匯流條，所述第一匯流條將所述伸長的多個段中每一個的所述第一端部相連，所述第二匯流條將所述伸長的多個段中每一個的所述第二端部相連。

15.如權利要求14所述的器件，其中所述第一匯流條和所述第二匯流條均具有第一寬度，并且其中凸起的所述伸長的多個段具有第二寬度，所述第二寬度小于所述第一寬度。

16.如權利要求14所述的器件，其中所述第一匯流條和所述第二匯流條具有相對的第一端部和第二端部，并且其中所述第一匯流條的所述第一端部與所述第二匯流條的所述第一端部通過第三匯流條相連。

17.如權利要求16所述的器件，其中所述第一匯流條的所述第二端部與所述第二匯流條的所述第二端部通過第四匯流條相連。

18.如權利要求1所述的器件，其中所述中央區上的所述歐姆接觸上的所述金屬層具有與所述肖特基金屬層不同的成分。

19.如權利要求1所述的器件，進一步包括在所述器件的外圍部分的邊緣終止結構。

20.如權利要求19所述的器件，進一步包括在所述邊緣終止結構上的介電層。