[發(fā)明專利]金屬光子晶體太赫茲可調(diào)諧濾波器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110350708.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102508375A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范飛;常勝江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南開(kāi)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G02F1/1333 | 分類號(hào): | G02F1/1333;G02F1/133;H01P1/20 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 300071*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 光子 晶體 赫茲 調(diào)諧 濾波器 | ||
1.一種金屬光子晶體太赫茲可調(diào)諧濾波器,其特征在于包括光子晶體金屬柱陣列(1)、高密度聚乙烯盒(2)、電極(3)、太赫茲源(4)、液晶(5),其中,光子晶體金屬柱陣列(1)封裝于高密度聚乙烯盒(2)中,盒中填充液晶(5),光子晶體金屬柱陣列(1)上交替布置正、負(fù)電極(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬光子晶體太赫茲可調(diào)諧濾波器,其特征在于光子晶體金屬柱陣列(1)使用的材料是銅、鋁、銀、金等高電導(dǎo)率金屬材料,其制作方法為由硅片或聚合物使用MEMS深度光刻工藝成型后利用鍍膜工藝在表面鍍上一層大于100nm厚的金屬膜形成金屬柱陣列,金屬柱高100~500μm,直徑40~100μm,相鄰柱間距為100~200μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬光子晶體太赫茲可調(diào)諧濾波器,其特征在于在每列光子晶體金屬柱(1)上方布置串連的引線,將奇數(shù)列于與偶數(shù)列分別并聯(lián)為正、負(fù)電極(3),工作電壓在0~5V之間連續(xù)可調(diào),金屬柱陣列既作為光子晶體,其本身又是調(diào)諧濾波器的電極,使正、負(fù)電極(3)間距不大于200μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬光子晶體太赫茲可調(diào)諧濾波器,其特征在于在高密度聚乙烯盒(2)中填充的是在太赫茲波段具有高雙折射、低損耗的向列相液晶(5),雙折射系數(shù)大于0.15。
5.一種使用權(quán)利1所述的金屬光子晶體太赫茲可調(diào)諧濾波器的調(diào)諧方法,其特征在通過(guò)控制光子晶體金屬柱陣列上的電極電壓,改變填充在金屬柱周圍的液晶分子的指向角度,從而改變金屬光子晶體的能帶和帶隙位置來(lái)控制濾波器通帶位置的移動(dòng),實(shí)現(xiàn)調(diào)諧濾波的功能;當(dāng)電壓為零時(shí),液晶沿柱軸向分布;當(dāng)電壓逐漸增大,液晶指向角度逐漸轉(zhuǎn)向垂直于柱軸向分布,這一過(guò)程中液晶在太赫茲波段的折射率逐漸減小,金屬光子晶體的能帶和帶隙位置由低頻向高頻移動(dòng),從而濾波器的通帶向高頻移動(dòng),實(shí)現(xiàn)調(diào)諧濾波功能。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
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