[發明專利]發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110350679.3
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN102569574A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 金泰亨;孫哲守;梁鐘隣;宋尚燁;李時赫
• 申請（專利權）人: 三星LED株式會社
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;王占杰

技術領域

本公開涉及發光器件及其制造方法。

背景技術

發光器件(諸如發光二極管(LED))指的是可通過化合物半導體的PN結構成光源來產生各種顏色的光的半導體器件。例如，利用第III-V族化合物半導體(諸如GaN、InN和AlN)的氮化物基LED被廣泛用作發射藍光的發光器件。這種發光器件的優勢在于它們壽命長，易于制得小而輕，光的方向性強，并且可在低電壓下進行驅動。另外，由于這種發光器件抗沖擊和震動性強，不需要預熱，被簡單驅動，并以各種形式進行封裝，所以它們可應用于各種領域。

提出了垂直發光器件，通過在絕緣基底上堆疊化合物半導體層，然后去除絕緣基底來形成這種垂直發光器件，其中，所述絕緣基底諸如為藍寶石基底，藍寶石基底為公知的滿足晶體生長的晶格匹配條件的最常用的基底。這種垂直發光器件分為n型電極和p型電極設置在化合物半導體結構的同一表面上的垂直發光器件以及n型電極和p型電極設置在化合物半導體結構的不同表面上的垂直發光器件。n型電極和p型電極設置在化合物半導體結構的同一表面上的垂直發光器件的優勢在于改善了電流擴展且防止了光通道被電極阻擋。

發明內容

提供了通過在發光器件的側表面上形成連接層而有助于制造工藝并降低制造成本的發光器件及其制造方法。

將在接下來的描述中部分闡述本發明另外的方面，還有一部分通過描述將是清楚的，或者可以經過本發明的實施而得知。

根據本發明的一方面，一種發光器件包括：化合物半導體結構，包括第一化合物半導體層、活性層和第二化合物半導體層；第一電極層和第二電極層，設置在所述第二化合物半導體層的頂表面上并分別電連接到所述第一化合物半導體層和所述第二化合物半導體層；絕緣層，涂覆在除了所述第一電極層和所述第二電極層所位于的部分之外的部分上；導電粘附層，形成在非導電基底的頂表面上并將所述非導電基底連接到所述第一電極層和所述絕緣層；第一電極連接層，形成在所述非導電基底和所述導電粘附層的一個側表面上并連接到所述導電粘附層；第二電極連接層，形成在所述非導電基底和所述導電粘附層的另一側表面上，并連接到所述第二電極層。

根據本發明的另一方面，一種制造發光器件的方法包括：通過在基底上堆疊第一化合物半導體層、活性層和第二化合物半導體層來形成化合物半導體結構；在所述化合物半導體結構上形成第一電極層和第二電極層，所述第一電極層和所述第二電極層分別電連接到所述第一化合物半導體層和所述第二化合物半導體層；在除了所述第一電極層和所述第二電極層所位于的部分之外的部分上涂覆絕緣層；通過利用導電粘附層將非導電基底粘附到所述絕緣層和所述第一電極層；使所述導電粘附層的部分和所述第二電極層的頂表面的部分暴露；將第一電極連接層連接到所述導電粘附層；將第二電極連接層連接到所述第二電極層。

附圖說明

通過結合附圖對實施例進行的以下描述，這些和/或其它方面將變得清楚并更容易被理解，在附圖中：

圖1是根據本發明實施例的發光器件的剖視圖；

圖2是根據本發明另一實施例的發光器件的剖視圖；

圖3至圖15是根據本發明實施例的用于解釋制造圖1中的發光器件的方法的剖視圖。

具體實施方式

圖1是根據本發明實施例的發光器件的剖視圖。

參照圖1，發光器件包括化合物半導體結構110和設置在化合物半導體結構110的兩個側表面上的電極結構。

化合物半導體結構110包括在預定基底100(見圖4)上生長的第一化合物半導體層111、活性層112和第二化合物半導體層113。可去除基底100，如將在后面進行描述(見圖12)。