[發(fā)明專利]具有深贗埋層的鍺硅HBT器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110350565.9 | 申請日： | 2011-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN103094329A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 錢文生 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/737 | 分類號： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 深贗埋層 hbt 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種具有深贗埋層的鍺硅HBT器件，包括有位于溝槽中的隔離結構，其特征是，所述隔離結構往下在襯底中依次形成有縱向接觸的第二贗埋層和第一贗埋層，且第一贗埋層相互之間橫向連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的具有深贗埋層的鍺硅HBT器件，其特征是，第二贗埋層在橫向上相互獨立。
3.根據(jù)權利要求1所述的具有深贗埋層的鍺硅HBT器件，其特征是，集電區(qū)由兩個溝槽中的隔離結構和各個贗埋層所圍成。
4.根據(jù)權利要求1所述的具有深贗埋層的鍺硅HBT器件，其特征是，所述溝槽的截面形狀為正梯形，即溝槽開口的寬度大于溝槽底部的寬度。
5.根據(jù)權利要求1所述的具有深贗埋層的鍺硅HBT器件，其特征是，集電區(qū)的深度大于溝槽的深度。
6.根據(jù)權利要求1所述的具有深贗埋層的鍺硅HBT器件，其特征是，所述溝槽中還包括內側墻，且溝槽底部的兩個內側墻之間的距離小于溝槽開口的距離。
7.一種具有深贗埋層的鍺硅HBT器件的制造方法，其特征是，包括如下步驟：
第1步，在襯底上刻蝕正梯形的溝槽；
第2步，在溝槽的底部通過離子注入工藝形成往下依次接觸的第二贗埋層和第一贗埋層，所述第一贗埋層還在橫向上相互連接；
第3步，先在溝槽內制作內側墻，再以介質填充溝槽形成隔離結構；
第4步，對兩個溝槽之間的襯底進行離子注入形成集電區(qū)；
第5步，在硅片表面淀積第一介質并刻蝕出基區(qū)開口，接著在硅片表面淀積一層鍺硅材料并刻蝕，僅保留集電區(qū)之上的鍺硅材料和第一介質；
第6步，在硅片表面淀積第二介質并刻蝕出發(fā)射極窗口，接著在硅片表面淀積一層多晶硅并刻蝕，僅保留所述基區(qū)開口區(qū)域之上的多晶硅和第二介質；
第7步，在鍺硅基區(qū)之上、且在發(fā)射極和第二介質的兩側形成側墻；同時在第一介質和鍺硅基區(qū)的兩側形成側墻；
第8步，在硅片表面淀積第三介質并進行拋光，接著在第三介質中刻蝕通孔，包括與發(fā)射極相接觸的第一通孔、與第一介質相接觸的第二通孔、以及與第三贗埋層相接觸的第三通孔，最后以金屬填充這些通孔。
8.根據(jù)權利要求7所述的具有深贗埋層的鍺硅HBT器件的制造方法，其特征是，所述方法第1步中，溝槽側壁與地面之間角度為80～90度。
9.根據(jù)權利要求7所述的具有深贗埋層的鍺硅HBT器件的制造方法，其特征是，所述方法第2步中，采用一次或多次的離子注入形成第二贗埋層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
