[發(fā)明專利]聚合物基質電致發(fā)光材料及裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110350512.7
• 申請日: 2001-06-12
• 公開（公告）號: CN102516720A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設計）人: M·L·瑪羅柯三世;F·J·莫塔麥迪
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: C08L65/00
• 分類號: C08L65/00;C08K3/24;C09K11/06;H01L51/54
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張欽

1.一種組合物，其包括聚合物及一種或多種發(fā)光金屬離子或發(fā)光金屬離子配合物，所述聚合物包含選自下述的重復單元：

其中R獨立地選自H、D、F、烷氧基、芳氧基、烷基、芳基、烷基酮、芳基酮、烷基酯、芳基酯、酰胺、羧酸、氟烷基、氟芳基、聚亞烷氧基，任何二個R基可橋接，A及B獨立地選自-O-、-S-、-NR¹-，及-CR¹R²-、-CR¹R²CR³R⁴-、-N＝CR¹-、-CR¹＝CR²-、-N＝N-，及-(CO)-，其中R¹-R⁴是H、D、F、烷基、芳基、亞烷氧基、聚亞烷氧基、烷氧基、芳氧基、氟烷基及氟芳基，R¹-R⁴基團中的二個可橋接，m是0-2，n是0-3，o是0-4，p是0-5，q是0-6，且E選自O、NH及S；和

所述所述發(fā)光金屬離子或發(fā)光金屬離子配合物包括具有至少一個雙鍵的可極化的配位體。

2.權利要求1的組合物，其中所述發(fā)光金屬離子或發(fā)光金屬離子配合物包括：包括鈰、銪或鋱的鑭系金屬離子，和選自鉻、錳、鐵、鈷、鉬、釕、銠、鈀、銀、鎢、錸、鋨、銥、鉑、金及鈾的金屬離子。

3.權利要求1或2的組合物，其中所述聚合物是嵌段共聚物、無規(guī)共聚物或接枝共聚物。

4.權利要求1的組合物，其中所述聚合物包含結構I?I的重復單元。

5.權利要求1的組合物，其具有20nm或更少、優(yōu)選10nm或更少、更優(yōu)選5nm或更少和進一步優(yōu)選3nm或更少的發(fā)射光譜帶。

6.權利要求1的組合物，其中所述可極化的配位體選自：

其中，R獨立地選自H、D、F、烷氧基、芳氧基、烷基、芳基、烷基酮、芳基酮、烷基酯、芳基酯、酰胺、羧酸、氟烷基、氟芳基、聚亞烷氧基，二個R基可橋接，m是0-2，n是0-3，o是0-4，p是0-5，q是0-6，r是0-7，且s是0-8。

7.一種電致發(fā)光裝置，包含權利要求1的組合物。

8.權利要求7的電致發(fā)光裝置，其中所述聚合物是交聯(lián)聚合物。

9.權利要求7的電致發(fā)光裝置，包括：

第一電極；

一或多種電荷傳輸材料；及

包含權利要求1的組合物的電致發(fā)光層和第二電極。

10.一種電致發(fā)光組合物，包含：

芳族烴基質，其僅僅包含碳原子和氫原子和含有僅僅芳環(huán)；及

具有芳族配位體的鑭系金屬配合物。

11.權利要求10的組合物，其中所述芳族配位體具有二芳基和/或三芳基和/或多芳基。

12.一種電致發(fā)光裝置，包含權利要求10的組合物。

13.權利要求12的電致發(fā)光裝置，包含：

第一電極；

一或多種的電荷傳輸層；及

包含權利要求10的組合物的電致發(fā)光層及第二電極。