[發(fā)明專利]基板處理方法、程序、計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)和基板處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110350015.7
• 申請(qǐng)日: 2011-11-08
• 公開（公告）號(hào): CN102468138A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竹口博史;吉田勇一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種基板處理方法，其將表面處理液供給至形成有高防水性膜的基板的表面上，該基板處理方法的特征在于，包括：

積液形成工序，從噴嘴將表面處理液供給至所述基板的周邊部的一處來形成該表面處理液的積液；和

之后的積液移動(dòng)工序，通過一邊繼續(xù)供給所述表面處理液一邊將所述噴嘴從基板的周邊部移動(dòng)至基板的中心部，使得形成于基板的周邊部的積液移動(dòng)至基板的中心部。

2.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于：

在所述積液形成工序中被供給表面處理液的位置為：在所述積液形成工序中形成的表面處理液的積液，與在所述積液移動(dòng)工序中被移動(dòng)至中心部的表面處理液的積液在俯視圖中不干涉的位置。

3.如權(quán)利要求2所述的基板處理方法，其特征在于：

在所述積液形成工序中被供給有表面處理液的位置，當(dāng)所述噴嘴的移動(dòng)速度為250mm/sec～1000mm/sec時(shí)，是距基板的中心部的距離為60mm～100mm的位置；當(dāng)所述噴嘴的移動(dòng)速度為200mm/sec～不足250mm/sec時(shí)，是距基板的中心部的距離為60mm～80mm的位置。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于：

所述表面處理液為純水。

5.一種基板處理裝置，其將表面處理液供給至形成有高防水性的膜的基板的表面上，該基板處理裝置的特征在于，包括：

將表面處理液供給至基板上的噴嘴；

使所述噴嘴移動(dòng)的噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)；和

對(duì)所述噴嘴和所述噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)作進(jìn)行控制的控制部，

所述控制部按照以下方式對(duì)所述噴嘴和所述噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制：利用所述噴嘴將表面處理液供給至基板的周邊部的一處來形成該表面處理液的積液，之后，通過一邊繼續(xù)供給所述表面處理液一邊將所述噴嘴從基板的周邊部移動(dòng)至基板的中心部，使得形成于基板的周邊部的積液移動(dòng)至基板的中心部。

6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述控制部按照以下方式對(duì)所述噴嘴和所述噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制：當(dāng)利用所述噴嘴將表面處理液供給至基板的周邊部時(shí)，使得通過從該噴嘴向基板的周邊部供給表面處理液所形成的表面處理液的積液，在俯視圖中位于與將所述噴嘴的位置移動(dòng)至基板的中心部時(shí)被移動(dòng)到基板的中心部的表面處理液的積液不干涉的位置。

7.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于：

在基板的周邊部被供給有表面處理液的位置，當(dāng)所述噴嘴的移動(dòng)速度為250mm/sec～1000mm/sec時(shí)，是距基板的中心部的距離為60mm～100mm的位置；當(dāng)所述噴嘴的移動(dòng)速度為200mm/sec～不足250mm/sec時(shí)，是距基板的中心部的距離為60mm～80mm的位置。

8.如權(quán)利要求5～7中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述表面處理液為純水。