[發明專利]一種改進等離子體增強化學汽相沉積薄膜均勻度的方法

無效

• 申請號: 201110349889.0
• 申請日: 2011-11-08
• 公開（公告）號: CN102443786A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 徐強;張文廣;鄭春生;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種改進等離子體增強化學汽相沉積薄膜均勻度的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：將一設置于反應腔內的加熱臺分成至少兩個獨立控制溫度的區域；

步驟S2：一晶圓放置于加熱臺后，調整各獨立控制溫度的區域為同一溫度；

步驟S3：進行等離子體增強化學汽相沉積工藝，于該晶圓上生成薄膜；

步驟S4：根據該薄膜的厚度分布調整各獨立控制溫度的區域溫度；

步驟S5：更換晶圓并繼續依次進行步驟S2-S4工藝，直至生成的晶圓薄膜均勻度達到工藝需求。

2.根據權利要求1所述的改進等離子體增強化學汽相沉積薄膜均勻度的方法，其特征在于，每次更換反應腔中的氣體分流盤后，依次進行步驟S1-S5工藝。

3.根據權利要求1所述的改進等離子體增強化學汽相沉積薄膜均勻度的方法，其特征在于，步驟S4中根據該薄膜的厚度分布調整各獨立控制溫度的區域溫度，即獨立控制溫度的區域中薄膜的厚度較厚的該區域溫度調低，厚度較薄的則溫度調高。

4.根據權利要求1所述的改進等離子體增強化學汽相沉積薄膜均勻度的方法，其特征在于，還包括步驟S6：采用步驟S5中生成符合工藝需求薄膜均勻度的工藝條件進行晶圓等離子體增強化學汽相沉積工藝沉積薄膜的批量生產。