[發(fā)明專利]一種改進(jìn)等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積薄膜均勻度的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110349889.0
• 申請(qǐng)日: 2011-11-08
• 公開（公告）號(hào): CN102443786A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐強(qiáng);張文廣;鄭春生;陳玉文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/52
• 分類號(hào): C23C16/52
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種改進(jìn)等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積薄膜均勻度的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：將一設(shè)置于反應(yīng)腔內(nèi)的加熱臺(tái)分成至少兩個(gè)獨(dú)立控制溫度的區(qū)域；

步驟S2：一晶圓放置于加熱臺(tái)后，調(diào)整各獨(dú)立控制溫度的區(qū)域?yàn)橥粶囟龋?/p>

步驟S3：進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積工藝，于該晶圓上生成薄膜；

步驟S4：根據(jù)該薄膜的厚度分布調(diào)整各獨(dú)立控制溫度的區(qū)域溫度；

步驟S5：更換晶圓并繼續(xù)依次進(jìn)行步驟S2-S4工藝，直至生成的晶圓薄膜均勻度達(dá)到工藝需求。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積薄膜均勻度的方法，其特征在于，每次更換反應(yīng)腔中的氣體分流盤后，依次進(jìn)行步驟S1-S5工藝。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積薄膜均勻度的方法，其特征在于，步驟S4中根據(jù)該薄膜的厚度分布調(diào)整各獨(dú)立控制溫度的區(qū)域溫度，即獨(dú)立控制溫度的區(qū)域中薄膜的厚度較厚的該區(qū)域溫度調(diào)低，厚度較薄的則溫度調(diào)高。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積薄膜均勻度的方法，其特征在于，還包括步驟S6：采用步驟S5中生成符合工藝需求薄膜均勻度的工藝條件進(jìn)行晶圓等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積工藝沉積薄膜的批量生產(chǎn)。