[發明專利]一種65/55nm產品第二側墻刻蝕工藝

無效

• 申請號: 201110349888.6
• 申請日: 2011-11-08
• 公開（公告）號: CN102592990A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 張瑜;李程;李全波;楊渝書
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/28
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種65/55nm產品第二側墻刻蝕工藝，采用65/55nm工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：通過試驗設計在第二層側墻的刻蝕工藝流程中，采集、分析數據得出影響第二層側墻寬度及殘留膜厚度的關鍵因素；

步驟S2：根據該關鍵因素調整對刻蝕機臺進行調整，以使后續第二層側墻的刻蝕工藝得到具有符合工藝需求的第二層側墻寬度及殘留膜厚度的工藝產品。

2.根據權利要求1所述的65/55nm產品第二側墻刻蝕工藝，其特征在于，所述試驗設計中試驗的影響因素包含有機臺功率、壓力和稀有氣體。

3.根據權利要求2所述的65/55nm產品第二側墻刻蝕工藝，其特征在于，所述稀有氣體為He。

4.根據權利要求1所述的65/55nm產品第二側墻刻蝕工藝，其特征在于，關鍵因素為機臺功率。

5.根據權利要求1所述的65/55nm產品第二側墻刻蝕工藝，其特征在于，步驟S2中根據該關鍵因素調整對刻蝕機臺進行調整，即刻蝕機臺工作0-30Hrs時，增加3％的原始功率補償；刻蝕機臺工作30-60Hrs時，采用機臺原始功率；刻蝕機臺工作60-90Hrs時，增加-3％的原始功率補償。