[發(fā)明專利]具有保護(hù)功能的晶體管電路無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110349883.3 | 申請(qǐng)日： | 2011-11-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102684166A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 余仲哲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 登豐微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H02H7/20 | 分類號(hào)： | H02H7/20;H02H3/08;H02H3/20;H02H5/04;H05B37/02 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默聞 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 保護(hù) 功能 晶體管 電路 | ||
1.一種具有保護(hù)功能的晶體管電路，封裝于一封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述的封裝結(jié)構(gòu)具有一第一端、一第二端及一控制端，其特征在于，所述的晶體管電路包含：
一晶體管，具有一漏極端、一源極端及一柵極端，所述的漏極端耦接所述的第一端，所述的源極端耦接所述的第二端，所述的柵極端耦接所述的控制端；
一電壓檢測(cè)單元，檢測(cè)所述的晶體管的跨壓并產(chǎn)生一過壓保護(hù)信號(hào)；以及
一保護(hù)單元，耦接于所述的控制端，以根據(jù)所述的過壓保護(hù)信號(hào)控制所述的晶體管的狀態(tài)；
其中，所述的保護(hù)單元于所述的晶體管的跨壓大于一第一預(yù)定電壓時(shí)，降低所述的控制端及所述的第二端的電位差，使得流經(jīng)所述的晶體管的一電流減小或?yàn)榱恪?/p>
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管電路，其特征在于，所述的電壓檢測(cè)單元包含一分壓?jiǎn)卧耙槐容^單元，所述的分壓?jiǎn)卧鶕?jù)所述的晶體管的跨壓產(chǎn)生一電壓判斷信號(hào)，而所述的比較單元接收所述的電壓判斷信號(hào)及一第一參考電位以產(chǎn)生一過壓保護(hù)信號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的晶體管電路，其特征在于，所述的晶體管電路更具有一保護(hù)端，所述的保護(hù)端根據(jù)所述的電壓判斷信號(hào)為代表晶體管的跨壓大于一第二預(yù)定電壓時(shí)輸出一外部信號(hào)，所述的第二預(yù)定電壓大于或等于所述的第一預(yù)定電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的晶體管電路，其特征在于，所述的晶體管電路更包含一溫度檢測(cè)單元，以檢測(cè)所述的晶體管電路的溫度并產(chǎn)生一過溫保護(hù)信號(hào)。
5.如權(quán)利要求4所述的晶體管電路，其特征在于，所述的保護(hù)單元根據(jù)所述的過溫保護(hù)信號(hào)控制所述的晶體管的狀態(tài)，所述的保護(hù)單元于所述的晶體管電路的溫度大于一預(yù)定溫度時(shí)，降低所述的控制端及所述的第二端的電位差，使得流經(jīng)所述的晶體管的電流減小或?yàn)榱恪?/p>
6.如權(quán)利要求1所述的晶體管電路，其特征在于，所述的晶體管電路更包含一電流檢測(cè)單元，所述的電流檢測(cè)單元耦接所述的第一端以檢測(cè)流經(jīng)所述的晶體管的電流并產(chǎn)生一過流保護(hù)信號(hào)。
7.如權(quán)利要求6所述的晶體管電路，其特征在于，所述的保護(hù)單元根據(jù)所述的過流保護(hù)信號(hào)控制所述的晶體管的狀態(tài)，所述的保護(hù)單元于流經(jīng)所述的晶體管的電流大于一預(yù)定電流時(shí)，降低所述的控制端及所述的第二端的電位差，使得流經(jīng)所述的晶體管的電流減小或?yàn)榱恪?/p>
8.一種具有保護(hù)功能的晶體管電路，封裝于一封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述的封裝結(jié)構(gòu)具有一第一端、一第二端及一控制端，其特征在于，所述的晶體管電路包含：
一晶體管，具有一漏極端、一源極端及一柵極端，所述的漏極端耦接所述的第一端，所述的源極端耦接所述的第二端，所述的柵極端耦接所述的控制端；
一電流檢測(cè)單元，檢測(cè)流經(jīng)所述的晶體管的電流并產(chǎn)生一過流保護(hù)信號(hào)；以及
一保護(hù)單元，耦接于所述的控制端，以根據(jù)所述的過流保護(hù)信號(hào)控制所述的晶體管的狀態(tài)；
其中，所述的保護(hù)單元于所述的過流保護(hù)信號(hào)為代表流經(jīng)所述的晶體管的電流大于一預(yù)定電流時(shí)，降低所述的控制端及所述的第二端的電位差，使得流經(jīng)所述的晶體管的電流減小或?yàn)榱恪?/p>
9.如權(quán)利要求8所述的晶體管電路，其特征在于，所述的電流檢測(cè)單元包含一感測(cè)晶體管、一電流感測(cè)電阻及一電流感測(cè)單元，使得流經(jīng)所述的晶體管的電流以一預(yù)定比例流經(jīng)所述的感測(cè)晶體管，所述的感測(cè)晶體管耦接所述的電流感測(cè)電阻以產(chǎn)生一電流判斷信號(hào)至所述的電流感測(cè)單元，使得所述的電流感測(cè)單元根據(jù)所述的電流判斷信號(hào)產(chǎn)生所述的過流保護(hù)信號(hào)。
10.如權(quán)利要求9所述的晶體管電路，其特征在于，所述的晶體管電路更具有一保護(hù)端，所述的保護(hù)端根據(jù)所述的電流判斷信號(hào)于流經(jīng)所述的晶體管的電流大于所述的預(yù)定電流時(shí)輸出一外部信號(hào)。
11.如權(quán)利要求8所述的晶體管電路，其特征在于，所述的晶體管電路更包含一溫度檢測(cè)單元，以檢測(cè)所述的晶體管電路的溫度并產(chǎn)生一過溫保護(hù)信號(hào)。
12.如權(quán)利要求8所述的晶體管電路，其特征在于，所述的晶體管電路更包含一電壓檢測(cè)單元，所述的電壓檢測(cè)單元耦接于所述的第一端及所述的第二端的間以檢測(cè)所述的晶體管的跨壓并產(chǎn)生一過壓保護(hù)信號(hào)。
13.如權(quán)利要求11或12所述的晶體管電路，其特征在于，所述的保護(hù)單元根據(jù)所述的過溫保護(hù)信號(hào)及所述的過壓保護(hù)信號(hào)控制所述的晶體管的狀態(tài)，所述的保護(hù)單元于所述的晶體管電路的溫度大于一預(yù)定溫度或所述的晶體管的跨壓大于一預(yù)定電壓時(shí)，降低所述的控制端及所述的第二端的電位差，使得流經(jīng)所述的晶體管的電流減小或?yàn)榱恪?!-- SIPO
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于登豐微電子股份有限公司，未經(jīng)登豐微電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110349883.3/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
