[發明專利]一種光纖氫氣傳感器用氫敏材料及其制備方法無效
| 申請號： | 201110349618.5 | 申請日： | 2011-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN102495045A | 公開（公告）日： | 2012-06-13 |
| 發明（設計）人： | 劉繄;張岡;陳幼平;宋涵;楊吉祥 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | G01N21/75 | 分類號： | G01N21/75;C23C14/14 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光纖 氫氣 傳感 器用 材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種光纖氫氣傳感器用氫敏材料，其特征在于，該薄膜材料包括基底和合金薄膜；
所述的基底的材料為金屬、半導體或絕緣體材料；
所述的合金薄膜材料基本成分為Pd和Y，化學組成為Pd[1-x-y]Y[x]α[y]，其中α為Pt、Ag、Au、Ni、Cu、Al、Li和B中的任一種，或者為La、Ru、Ce、Pr、Nd和Pm中的至少一種，0＜x≤0.3，0≤y≤0.3；
所述的合金薄膜材料厚度2～1000nm。
2.一種權利要求1所述的光纖氫氣傳感器用氫敏材料的制備方法，其特征在于：首先用感應熔煉或粉末冶金方法預制合金靶，然后通過物理氣相層積方法，在基片上制成合金薄膜材料。
3.根據權利要求2所述的氫氣傳感器用氫敏材料的制備方法，其特征在于：所述的物理氣相層積方法包括濺射鍍膜法，真空蒸發鍍膜法，真空離子鍍膜法。
4.權利要求1所述的氫氣傳感器用氫敏材料的制備方法，其特征在于：利用多個純靶材，直接在基片材料上多靶共濺層積，制成合金薄膜材料。
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