[發明專利]三極管的制備方法以及使用該方法制備的三極管

有效

• 申請號: 201110349615.1
• 申請日: 2011-11-08
• 公開（公告）號: CN103094103A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 王黎
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/73
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 臧霽晨;高為

1.一種三極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底并在所述半導體襯底上構圖形成所述三極管的基區、集電區和發射區，所述基區和發射區構圖形成于所述半導體襯底的正面；以及

通過在所述半導體襯底的背面上摻雜以形成第二晶格缺陷；

其中，所述第二晶格缺陷用于吸附所述三極管的器件區域中的第一晶格缺陷和/或可動離子。

2.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述摻雜為擴散摻雜或離子注入摻雜。

3.?如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述摻雜為擴散摻雜時，其包括以下步驟：

（1）在半導體襯底的表面生長犧牲氧化層；

（2）在半導體襯底正面涂光刻膠作為保護層；

（3）濕法去除半導體襯底的背面的犧牲氧化層；

（4）去除所述光刻膠；?

（5）在擴散爐的爐管中進行擴散摻雜；以及

（6）濕法去除所有犧牲氧化層。

4.?如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述摻雜為離子注入摻雜時，其包括以下步驟：

（1）光刻膠構圖定義摻雜區域；

（2）離子注入摻雜；

（3）去除所述光刻膠；以及

（4）退火。

5.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在構圖形成于所述基區和發射區之前，所述集電區構圖形成于所述半導體襯底的背面。

6.?如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述輔助摻雜區在所述集電區上形成。

7.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述集電區構圖形成于所述半導體襯底的正面。

8.?如權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述輔助摻雜區與所述集電區為相同導電類型摻雜，所述輔助摻雜區的摻雜濃度為所述發射區的摻雜濃度的三倍或三倍以上。

9.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述三極管為功率三極管。

10.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述三極管的器件區域主要是指基區以及基區與發射區的界面處。

11.?一種三極管，包括形成于半導體襯底之上的基區、集電區和發射區，所述基區和發射區構圖形成于所述半導體襯底的正面；其特征在于，所述三極管還包括位于所述半導體襯底背面的輔助摻雜區；

其中，所述輔助摻雜區中包含多個通過摻雜形成的第二晶格缺陷，所述第二晶格缺陷用于吸附所述三極管的器件區域中的第一晶格缺陷和/或可動離子。

12.?如權利要求11所述的三極管，其特征在于，所述基區為第一導電類型摻雜，所述集電區、發射區和輔助摻雜區為第二導電類型摻雜。

13.?如權利要求11所述的三極管，其特征在于，所述集電區構圖形成于所述半導體襯底的背面，所述輔助摻雜區在所述集電區上形成。

14.?如權利要求11所述的三極管，其特征在于，所述集電區構圖形成于所述半導體襯底的正面。

15.?如權利要求13或14所述的三極管，其特征在于，所述輔助摻雜區與所述集電區為相同導電類型摻雜，所述輔助摻雜區的摻雜濃度為所述發射區的摻雜濃度的三倍或三倍以上。

16.?如權利要求11所述的三極管，其特征在于，所述三極管為功率三極管。

17.?如權利要求11所述的三極管，其特征在于，所述三極管的器件區域主要是指基區以及基區與發射區的界面處。