[發(fā)明專利]聚二甲基硅氧烷表面應(yīng)力微薄膜生物傳感器制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110348853.0 | 申請日: | 2011-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN102502478A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 桑勝波;張文棟;李朋偉;奉輝 | 申請(專利權(quán))人: | 太原理工大學(xué) |
| 主分類號: | B81C1/00 | 分類號: | B81C1/00;G01N33/48 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 030024 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聚二甲基硅氧烷 表面 應(yīng)力 微薄 生物 傳感器 制造 方法 | ||
1.一種聚二甲基硅氧烷表面應(yīng)力微薄膜生物傳感器制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)在[001]單晶硅原片兩側(cè)淀積氮化硅;
(2)在上層氮化硅的表面旋涂約1μm厚的聚二甲基硅氧烷薄膜;
(3)旋涂及曝光光刻膠;
(4)蒸鍍厚度為20nm,長×寬=390μm×390μm的金薄膜;
(5)剝離光刻膠;
(6)在硅基片的背面旋涂、曝光光刻膠;
(7)用反應(yīng)離子刻蝕的方法刻蝕下層氮化硅;
(8)氫氧化鉀刻蝕硅;
(9)用反應(yīng)離子刻蝕的方法刻蝕上層氮化硅,釋放長×寬=400μm×400μm的聚二甲基硅氧烷微薄膜;
(10)以熔融狀態(tài)聚二甲基硅氧烷為粘結(jié)劑在聚二甲基硅氧烷薄膜表面鍵合玻璃微腔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述步驟(1)包括以下步驟:
1)室溫下,以Sylgard?184和己烷為原材料按照基液∶固化劑∶己烷=10∶1∶3(體積比)的比例配置20ml原溶液;
2)強(qiáng)力攪拌使原溶液混合均勻;
3)將混合均勻的原溶液倒入玻璃器皿中抽真空15分鐘以濾除氣泡;得到旋涂液;
4)使用旋涂機(jī)在上層氮化硅表面以6200rpm/132s的旋涂速率進(jìn)行旋涂;
5)涂覆后再用電熱爐在150℃下加熱15分鐘,對形成的聚二甲基硅氧烷薄膜進(jìn)行固化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述的聚二甲基硅氧烷微薄膜,其表面金膜長寬為:390μm×390μm,該尺寸比例能夠提供最大的應(yīng)力形變。
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