[發明專利]半導體器件及其鎢塞填充方法有效
| 申請號： | 201110348659.2 | 申請日： | 2011-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN103094202A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發明（設計）人： | 周君 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 填充 方法 | ||
1.一種鎢塞填充方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括需填充金屬鎢的若干孔洞；
在所述孔洞內形成鎢種子層，所述鎢種子層在孔洞開口的棱角處的沉積速率大于孔洞內部的沉積速率；
在所述鎢種子層上形成鎢膜層，所述鎢膜層將所述孔洞內部填充，其中，在所述鎢膜層的沉積過程中，采用腐蝕性物質去除孔洞開口處的金屬鎢，以避免在所述孔洞開口處累積金屬鎢。
2.根據權利要求1所述的鎢塞填充方法，其特征在于，所述腐蝕性物質具體為氟離子。
3.根據權利要求2所述的鎢塞填充方法，其特征在于，所述鎢膜層的過程具體為：
在高密度等離子體化學氣相淀積HDP反應腔體內，通入腐蝕性氣體，通過射頻的解離作用得到所述腐蝕性物質；
在進行鎢膜層沉積過程的同時，采用腐蝕性物質去除所述孔洞開口出的鎢膜層材料，直至完成鎢膜層的沉積。
4.根據權利要求3所述的鎢塞填充方法，其特征在于，所述腐蝕性氣體為CF4氣體或NF3氣體。
5.根據權利要求3所述的鎢塞填充方法，其特征在于，還包括，在向所述HDP反應腔體內通入所述腐蝕性氣體的同時，通入適量的惰性氣體，以平衡反應腔體內的壓力。
6.根據權利要求3所述的鎢塞填充方法，其特征在于，形成所述鎢種子層的過程具體為：
采用低壓化學氣相淀積LPCVD工藝在所述孔洞內形成鎢種子層。
7.根據權利要求6所述的鎢塞填充方法，其特征在于，所述鎢種子層的形成過程和所述鎢膜層的形成過程在同一HDP反應腔體內進行。
8.根據權利要求7所述的鎢塞填充方法，其特征在于，形成所述鎢膜層后還包括：
平坦化所述鎢膜層表面，使所述鎢膜層表面與所述基底表面齊平，得到鎢塞。
9.根據權利要求8所述的鎢塞填充方法，其特征在于，所述鎢塞內部填充良好，鎢塞內部的鑰匙孔缺陷不明顯或消失。
10.一種采用權利要求1-9任一項所述的鎢塞填充方法制造的半導體器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
