[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110348623.4
• 申請日: 2011-11-07
• 公開（公告）號: CN102468192A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 巖重朝仁;市川智昭;杉本直哉;襖田光昭;保手濱洋幸;秋月伸也
• 申請（專利權(quán)）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/29;C08G59/62;C08G59/24
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，其為使用含有下述的(A)～(D)成分的半導(dǎo)體密封用環(huán)氧樹脂組合物對半導(dǎo)體元件進(jìn)行樹脂密封從而制造半導(dǎo)體裝置的方法，

在樹脂密封之后施加加熱處理工序，此加熱處理在下述(x)所示的條件下進(jìn)行，

(A)下述的通式(1)所示的環(huán)氧樹脂，

[化學(xué)式1]

上述式(1)中，X為單鍵、-CH₂-、-S-或-O-，另外，R₁～R₄為-H或-CH₃并且相互可以相同也可以不同，

(B)酚醛樹脂，

(C)胺系固化促進(jìn)劑，

(D)無機(jī)質(zhì)填充劑，

(x)由熱處理時間(t分鐘)與熱處理溫度(T℃)的關(guān)系滿足t≥3.3×10^-5exp(2871/T)的區(qū)域構(gòu)成的熱處理條件，其中，185℃≤熱處理溫度T℃≤300℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，作為上述(C)成分的胺系固化促進(jìn)劑的含量相對于作為(B)成分的酚醛樹脂100重量份為1～20重量份。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其中，作為上述(C)成分的胺系固化促進(jìn)劑為下述的通式(2)所示的咪唑化合物，

[化學(xué)式2]

上述式(2)中，R’為烷基或芳基，另外，R₅、R₆為-CH₃或-CH₂OH并且相互可以相同也可以不同，其中，R₅和R₆中的至少一個為-CH₂OH。