[發明專利]一種非感光性聚酰亞胺光刻工藝方法

有效

• 申請號: 201110348547.7
• 申請日: 2011-11-07
• 公開（公告）號: CN103092008A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 郭曉波;程晉廣
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G03F7/26
• 分類號: G03F7/26;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/42
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種非感光性聚酰亞胺光刻工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)提供一需要制作非感光性聚酰亞胺圖形的基片；

(2)在所述基片上旋涂非感光性聚酰亞胺；

(3)非感光性聚酰亞胺的多步軟烘；

(4)光刻膠的旋涂和烘烤；

(5)經曝光、顯影獲得所需的非感光性聚酰亞胺和光刻膠圖形；

(6)顯影后烘烤；

(7)用光刻膠剝離液剝離去除光刻膠；

(8)非感光性聚酰亞胺的固化。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述的非感光性聚酰亞胺是指其對波長436納米的G-line，波長365納米的I-line，波長248納米的KrF和波長193納米的ArF中的任意一種或多種光不具有光敏性。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述的非感光性聚酰亞胺的多步軟烘，每一步的烘烤溫度都不相同且都低于傳統一步軟烘的溫度，其每一步的烘烤溫度為50-150℃，烘烤時間為0.5-60分鐘。

4.根據權利要求1或3所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述的非感光性聚酰亞胺的多步軟烘采用三步軟烘，其中第一步的軟烘條件為：烘烤溫度為80℃，烘烤時間為7分鐘，第二步的軟烘條件為：烘烤溫度為100℃，烘烤時間為5分鐘，第三步的軟烘條件為：烘烤溫度為110℃，烘烤時間為3分鐘。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(4)中，所述的光刻膠是指曝光波長為436納米的G-line，365納米的I-line，248納米的KrF和193納米的ArF中的任意一種正性或負性光刻膠。

6.根據權利要求1或5所述的方法，其特征在于，在步驟(4)中，所述的光刻膠的烘烤溫度應低于步驟(3)所述的多步軟烘中最高溫度的10-40℃，烘烤時間為0.5-10分鐘。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在步驟(4)中，所述的光刻膠的烘烤溫度為90℃，烘烤時間為1.5分鐘。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(6)中，所述的顯影后烘烤的溫度要比步驟(3)所述的多步軟烘中最高溫度高10-20℃，烘烤時間為0.5-10分鐘。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在步驟(6)中，所述的烘烤溫度為140℃，烘烤時間為5分鐘。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(7)中，所述的光刻膠剝離液能夠剝離去除光刻膠，但不能剝離去除非感光性聚酰亞胺。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在步驟(7)中，所述的光刻膠剝離液指丙二醇甲醚醋酸酯或丙二醇甲醚或其組合。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(8)中，所述的非感光性聚酰亞胺的固化，其固化溫度為200-500℃，固化時間為30-120分鐘。