[發明專利]含Cu量分層變化的銅銦鎵硒薄膜的磁控濺射制備方法

無效

• 申請號: 201110348538.8
• 申請日: 2011-11-07
• 公開（公告）號: CN102412341A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 余洲;晏傳鵬;劉連;張勇;李珂;趙勇;劉斌
• 申請（專利權）人: 西南交通大學;成都欣源光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C14/35
• 代理公司: 成都博通專利事務所 51208
• 代理人: 陳樹明

1.一種含Cu量分層變化的銅銦鎵硒薄膜的磁控濺射制備方法，其做法是：將CuIn_0.7Ga_0.3Se₂靶材交替進行低功率密度濺射和高功率密度濺射，交替次數至少為一次；每次交替中均先進行低功率密度濺射形成一層含Cu量高的沉積層，后進行高功率密度濺射形成含Cu量低的沉積層；最后在真空中熱處理形成含Cu量分層變化的CIGS光吸收層薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種含Cu量分層變化的銅銦鎵硒薄膜的磁控濺射制備方法，其特征在于：所述的低功率密度濺射和高功率密度濺射交替進行次數為1-3次，對應形成2-6個不同Cu含量的沉積層。

3.根據權利要求1所述的一種含Cu量分層變化的銅銦鎵硒薄膜的磁控濺射制備方法，其特征在于：所述的低功率密度濺射的工藝條件為，功率密度0.5～4.0W/cm²，靶距為4～8cm，工作氣壓為0.1～4.0Pa，襯底溫度為室溫到300℃；所述的高功率密度濺射的工藝條件為，功率密度6.0～10.0W/cm²，靶距為4～8cm，工作氣壓為0.1～4.0Pa，襯底溫度為室溫到300℃；所述的真空中熱處理工藝條件為，在50～3000Pa的氬氣或氮氣氣氛中，升溫到380～550℃，保溫10～60min。