[發(fā)明專利]晶體管及制造晶體管的方法

有效

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• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN102412276A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K·迪芬貝克
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/331
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曲寶壯;李家麟

1.一種晶體管，包括：

基極；

發(fā)射極，以及

集電極，其中該基極的第一端寬度比該基極的中間寬度大，其中該集電極的第一端寬度比該集電極的中間寬度大，或其中該發(fā)射極的第一端寬度比該發(fā)射極的中間寬度大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中該基極包括與該第一端寬度相對的第二端寬度并且該基極的該第二端寬度大于該基極的該中間寬度，其中該集電極包括與該第一端寬度相對的第二端寬度并且該集電極的該第二端寬度大于該集電極的該中間寬度，或其中該發(fā)射極包括與該第一端寬度相對的第二端寬度并且該發(fā)射極的該第二端寬度大于該發(fā)射極的該中間寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體管，其中該基極的第一和第二端寬度基本上相等，其中該集電極的第一和第二端寬度基本上相等，或其中該發(fā)射極的第一和第二端寬度基本上相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體管，其中該基極的第一端寬度為大約1000nm或更小，其中該基極的中間寬度為大約500nm或更小，以及該基極的第二端寬度為大約1000nm或更小。

5.一種制作晶體管的方法，該方法包括：

在襯底上形成半導(dǎo)體材料層；

在該半導(dǎo)體材料層上形成第一光刻膠，該第一光刻膠包括第一杠鈴形狀的開口；以及

通過該開口注入第一導(dǎo)電類型的摻雜劑到該半導(dǎo)體材料中形成第一區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，進一步包括：

去除該第一光刻膠；

形成第二光刻膠，該第二光刻膠包括第二杠鈴形狀的開口；以及

通過該開口注入第二導(dǎo)電類型的摻雜劑到該半導(dǎo)體材料中形成第二區(qū)域，第二導(dǎo)電類型摻雜劑與第一導(dǎo)電類型摻雜劑不同。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該第二區(qū)域嵌入到該第一區(qū)域中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中該第二區(qū)域為發(fā)射極區(qū)域而第一區(qū)域為基極區(qū)域。

9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：

在第一半導(dǎo)體材料層中形成集電極區(qū)域；

在該第一半導(dǎo)體材料上的第二半導(dǎo)體材料中形成基極區(qū)域；以及

在該第二半導(dǎo)體材料中形成與該基極區(qū)域相鄰的發(fā)射極區(qū)域，其中該基極區(qū)域包括第一端區(qū)域?qū)挾群蛢?nèi)部區(qū)域?qū)挾龋移渲性摰谝欢藚^(qū)域?qū)挾缺仍搩?nèi)部區(qū)域?qū)挾雀鼘挕?!-- SIPO -->

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中該基極區(qū)包括第二端區(qū)域?qū)挾龋移渲性摰诙藚^(qū)域?qū)挾缺仍搩?nèi)部區(qū)域?qū)挾雀鼘挕?/p>

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中該發(fā)射極區(qū)域嵌入到該基極區(qū)域中并且其中基極區(qū)域直接設(shè)置在集電極區(qū)域上。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成基極區(qū)域包括應(yīng)用具有杠鈴形狀開口的注入掩模。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中制造該半導(dǎo)體器件包括形成射頻晶體管。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成該第二半導(dǎo)體材料包含：

在該第一半導(dǎo)體材料上形成絕緣材料；

圖案化該絕緣材料；

在該絕緣材料中形成開口，該開口在該集電極區(qū)域上；

在該開口中填充該第二半導(dǎo)體材料；以及

利用具有杠鈴形狀開口的注入掩模在該開口中摻雜該第二半導(dǎo)體材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成該第二半導(dǎo)體材料包含：

在該第一半導(dǎo)體材料上形成第二半導(dǎo)體材料；

圖案化該第二半導(dǎo)體材料；

去除除了該集電極區(qū)域上之外的區(qū)域中的該第二半導(dǎo)體材料；

在該區(qū)域中填充絕緣材料；以及

利用具有杠鈴形狀開口的注入掩模摻雜該第二半導(dǎo)體材料。

16.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：

在襯底上形成第一半導(dǎo)體材料；

在該第一半導(dǎo)體材料上形成第二半導(dǎo)體材料；

在該第二半導(dǎo)體材料中形成開口，該開口包含杠鈴形狀；以及

利用該開口注入摻雜劑到該第一半導(dǎo)體材料。