[發(fā)明專(zhuān)利]多芯片組大功率LED基板制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110348376.8
• 申請(qǐng)日: 2011-11-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102509752A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 溫廣武;朱建東;黃小蕭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00;C04B35/10;C04B35/14;C04B35/622
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 張宏威

1.多芯片組大功率LED基板制備方法，其特征是：它由以下步驟實(shí)現(xiàn)：

步驟一、量取質(zhì)量百分比為30％～60％的聚碳硅烷PCS和質(zhì)量分?jǐn)?shù)比為40％～70％氮化鋁AlN，并放入瑪瑙球磨罐中；

步驟二、向瑪瑙球磨罐中滴入二甲苯或四氫呋喃，并采用行星式球磨機(jī)在轉(zhuǎn)速為20r/s～30r/s的條件下進(jìn)行球磨混合，所述球磨混合持續(xù)2h～6h后，獲得混合漿料；

步驟三、將步驟二獲得的混合漿料懸涂在鎢銅合金基板表面，并在室溫下干燥5h～10h，獲得帶有預(yù)置涂層的鎢銅合金基板；

步驟四、將步驟三獲得的帶有預(yù)置涂層的鎢銅合金基板放置在厚度為0.4mm～0.6mm的銅片表面，并送入真空管式爐中進(jìn)行熱處理；所述熱處理的過(guò)程是：向真空管式爐中充入純度為98.5％～99.9％的氮?dú)猓缓螅?℃/min～5℃/min的升溫速率將真空管式爐的溫度提升至1100℃～1400℃，并保溫1h～2h，然后再以2～3℃/min的降溫速率降到500℃，獲得由銅片承載的熱處理后的鎢銅合金基板；

步驟五、將步驟四獲得的由銅片承載的鎢銅合金基板在真空管式爐中自然冷卻至室溫后取出，并去除銅片，獲得多芯片組大功率LED基板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片組大功率LED基板制備方法，其特征在于，在步驟一中，量取質(zhì)量百分比為35％～55％的聚碳硅烷PCS和質(zhì)量分?jǐn)?shù)比為45％～65％氮化鋁AlN，并放入瑪瑙球磨罐中；步驟二中的球磨混合的球磨時(shí)間為3h～5h；步驟三中的干燥時(shí)間為6h～9h；步驟四中向真空管式爐中充入的氮?dú)獾募兌葹?9.5％。

3.多芯片組大功率LED基板制備方法，其特征是：它由以下步驟實(shí)現(xiàn)：

步驟一、量取質(zhì)量百分比為30％～60％的聚碳硅烷PCS、質(zhì)量分?jǐn)?shù)比為35％～65％氮化鋁AlN和質(zhì)量分?jǐn)?shù)比為2％～5％的氧化釔Y₂O₃，并放入瑪瑙球磨罐中；

步驟二、向瑪瑙球磨罐中滴入二甲苯或四氫呋喃，并采用行星式球磨機(jī)在轉(zhuǎn)速為20r/s～30r/s的條件下進(jìn)行球磨混合，球磨混合持續(xù)2h～6h，獲得混合漿料；

步驟三、將步驟二獲得的混合漿料懸涂在鎢銅合金表面，并在室溫下干燥5h～10h，獲得帶有預(yù)置涂層的鎢銅合金基板；

步驟四、將步驟三獲得的帶有預(yù)置涂層的鎢銅合金基板放置在厚度為0.4mm～0.6mm的銅片表面，并送入真空管式爐中進(jìn)行熱處理；所述熱處理的過(guò)程是：向真空管式爐中充入純度為98.5％～99.9％的氮?dú)?，然后?℃/min～5℃/min的升溫速率將真空管式爐的溫度提升至1100℃～1400℃，并保溫1h～2h，然后再以2～3℃/min的降溫速率降到500℃，獲得由銅片承載的熱處理后的鎢銅合金基板；

步驟五、將步驟四獲得的由銅片承載的熱處理后的鎢銅合金基板在真空管式爐中自然冷卻至室溫后取出，去除銅片，獲得多芯片組大功率LED基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片組大功率LED基板制備方法，其特征在于在步驟一中，量取質(zhì)量百分比為35％～55％的聚碳硅烷PCS、質(zhì)量分?jǐn)?shù)比為42％～61％氮化鋁AlN和質(zhì)量分?jǐn)?shù)比為3％～4％的氧化釔，并放入瑪瑙球磨罐中；步驟二中的球磨混合的球磨時(shí)間為3h～5h；步驟三中的干燥時(shí)間為6h～9h；步驟四中向真空管式爐中充入的氮?dú)獾募兌葹?9.5％。