[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201110348251.5
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN103021880A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 佐藤隆夫;三浦正幸;加本拓
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 周春燕;陳海紅

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

在支持基板上形成剝離層的工序；

在前述剝離層上形成具有多個裝置形成區域和切割區域的布線層的工序；

以在前述多個裝置形成區域分別配置半導體芯片的方式，在前述布線層上安裝多個半導體芯片的工序；

在前述布線層上形成覆蓋前述多個半導體芯片的封裝樹脂層，獲得具有前述布線層和前述多個半導體芯片的樹脂封裝體的工序；

將前述樹脂封裝體從前述支持基板分離的工序；以及

基于前述切割區域切斷前述樹脂封裝體，將具備前述布線層、前述半導體芯片和前述封裝樹脂層的電路結構體單片化的工序；

其中，在將前述樹脂封裝體從前述支持基板分離時，或者在將前述樹脂封裝體從前述支持基板分離之后，由保持體平坦地保持前述樹脂封裝體整體并進行加熱；

在對前述樹脂封裝體維持由前述保持體平坦地保持的狀態并進行冷卻之后，解除由前述保持體實現的前述樹脂封裝體的保持狀態。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中：

前述樹脂封裝體整體地由第1保持體平坦地保持，且前述支持基板由第2保持體保持；

通過對前述樹脂封裝體以及前述剝離層進行加熱且使前述第1保持體與前述第2保持體相對地移動，將前述樹脂封裝體從前述支持基板分離。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中：

前述剝離層包含熱可塑性樹脂；并且

通過剪切加熱后的前述剝離層，將前述樹脂封裝體從前述支持基板分離。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中：

將前述樹脂封裝體從前述支持基板分離；

使從前述支持基板分離后的前述樹脂封裝體整體地由前述保持體平坦地保持且進行加熱。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中：

通過剪切前述剝離層、溶解前述剝離層、利用蝕刻除去前述剝離層、利用光使前述剝離層固化或利用光分解前述剝離層，將前述樹脂封裝體從前述支持基板分離。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中：

前述樹脂封裝體，被加熱到比前述封裝樹脂的玻璃化轉變點高5～15℃的溫度。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中：

前述樹脂封裝體，在被冷卻到比前述玻璃化轉變點低的溫度之后，被解除由前述保持體實現的保持狀態。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中：

將通過前述玻璃化轉變點的溫度域的溫度梯度設定為1～10℃/分鐘的范圍。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中：

使達到通過前述玻璃化轉變點的溫度域之前的溫度域以及通過前述玻璃化轉變點的溫度域之后的溫度域中的溫度梯度，比通過前述玻璃化轉變點的溫度域的溫度梯度大。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中：

使保持于前述保持體的前述樹脂封裝體接觸于散熱體而冷卻。

11.一種半導體裝置的制造方法，包括：

準備具有多個裝置形成區域和切割區域的布線基板的工序；

以在前述多個裝置形成區域分別配置半導體芯片的方式，在前述布線基板上安裝多個半導體芯片的工序；

在前述布線基板上形成覆蓋前述多個半導體芯片的封裝樹脂層，獲得具有前述布線基板和前述多個半導體芯片的樹脂封裝體的工序；

由保持體平坦地保持前述樹脂封裝體整體并加熱前述樹脂封裝體的工序；

在對前述樹脂封裝體維持由前述保持體平坦地保持的狀態并進行冷卻之后，解除由前述保持體實現的前述樹脂封裝體的保持狀態的工序；以及

基于前述切割區域切斷前述樹脂封裝體，將具備前述布線基板、前述半導體芯片和前述封裝樹脂層的電路結構體單片化的工序。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其中：

前述樹脂封裝體，被加熱到比前述封裝樹脂的玻璃化轉變點高5～15℃的溫度。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其中：

前述樹脂封裝體，在被冷卻到比前述玻璃化轉變點低的溫度之后，被解除由前述保持體實現的保持狀態。