[發明專利]高功率發光裝置

有效

• 申請號: 201110347878.9
• 申請日: 2008-05-26
• 公開（公告）號: CN102354722A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 林錦源
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

本申請是申請日為2008年5月26日且發明名稱為“高功率發光裝置”的中國專利申請200810108805.2的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種高功率發光裝置，尤其涉及一種具有周期結構的高功率發光裝置。

背景技術

發光二極管(Light?Emitting?Diode；LED)為一種固態物理半導體元件，其至少包含p-n結(p-n?junction)，此p-n結形成于p型與n型半導體層之間。當于p-n結上施加一定程度的偏壓時，p型半導體層中的空穴與n型半導體層中的電子將會結合而釋放出光。此光產生的區域一般又稱為發光區(active?region)。

LED為了特定的目的會轉換基板，例如使用散熱佳的銅基板或可增加出光效率的透明基板，如藍寶石基板，并且在LED的上表面形成規則的圖案以提高光摘出效率。一般而言，轉換基板后，原本外延生長工藝里的生長基板與未摻雜的緩沖層會被移除而裸露出摻雜的外延層，例如p型半導體或n形半導體，接著于裸露的外延層上形成窗戶層或介電層，例如ITO，再形成規則圖案于窗戶層或介電層上，工藝較為繁復。

發明內容

高功率發光裝置包含支持基板；接合層，位于支持基板之上；反射層，位于接合層之上；導電接觸層，位于反射層之上；發光疊層，位于導電接觸層之上；以及未摻雜半導體層，位于發光疊層之上。發光疊層包含第一摻雜型半導體層，位于導電接觸層之上；發光層，位于第一摻雜型半導體層之上；第二摻雜型半導體層，位于發光層與未摻雜半導體層之間。未摻雜型半導體層具有開口以裸露部分第二摻雜型半導體層。于開口之中形成第一電極，并與第二摻雜型半導體層接觸；第二電極，位于支持基板之下。

高功率發光裝置包含支持基板；接合層，位于支持基板之上；反射層，位于接合層之上；導電接觸層，位于反射層之上；發光疊層，位于導電接觸層之上；以及未摻雜半導體層，位于發光疊層之上。發光疊層包含第一摻雜型半導體層，位于導電接觸層之上；發光層，位于第一摻雜型半導體層之上；第二摻雜型半導體層，位于發光層與未摻雜半導體層之間。未摻雜型半導體層具有開口以裸露部分第二摻雜型半導體層。于開口之中形成第一電極，并與第二摻雜型半導體層接觸；第二電極，位于導電接觸層裸露的部分。

附圖說明

圖1至圖5為顯示依據本發明一實施例的高功率發光裝置的制造流程剖面圖。

圖6為顯示依據本發明另一實施例的高功率發光裝置的剖面圖。

圖7為示意圖，顯示利用本發明實施例的發光元件組成的光源產生裝置的示意圖。

圖8為示意圖，顯示利用本發明實施例的發光元件組成的背光模塊的示意圖。

附圖標記說明

1發光裝置??????????????????10，2高功率發光裝置

100生長基板????????????????101，201支持基板

110，210未摻雜型半導體層???112，212周期結構

114，214開口???????????????120，220發光疊層

122，222第二摻雜型半導體層?124，224發光層

126，226第一摻雜型半導體層?130導電接觸層

140反射層??????????????????150接合層

160，260第一電極???????????170，270第二電極

3光源產生裝置??????????????31光源

32電源供應系統?????????????33控制元件

4背光模塊??????????????????41光學元件

具體實施方式