[發(fā)明專利]新型非線性光學(xué)晶體硼酸鈹鈉銫

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110347844.X
• 申請(qǐng)日: 2011-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN102352533A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉寧;王時(shí)超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所
• 主分類號(hào): C30B29/22
• 分類號(hào): C30B29/22;C30B9/12;G02F1/355;G02F1/37;G02F1/39
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1.一種化合物硼酸鈹鈉銫，其特征在于：其化學(xué)式為Na₂CsBe₆B₅O₁₅，簡(jiǎn)稱NCBB，屬于單斜晶系，空間群為C2，晶胞參數(shù)為a?=?13.885??，b?=?4.4332??，c?=?10.874??，α?=?γ?=?90?°，β?=?103.141?°，z?=?2，單胞體積為V?=?651.8??³。

2.一種權(quán)利要求1所述的硼酸鈹鈉銫化合物的制備方法，其特征在于：將含Na、Cs、Be和B的化合物原料按其摩爾比為Na：Cs：Be：B?=?2：1：6：5的比例均勻混合研磨后，緩慢升溫400～500℃后，預(yù)燒1～5小時(shí)；冷卻至室溫，取出研磨；然后在650～750℃下燒結(jié)12～20小時(shí)，冷卻至室溫即可獲得硼酸鈹鈉銫化合物；所述的含Na化合物原料為含鈉的氧化物或氫氧化物或碳酸鹽或硝酸鹽或草酸鹽或硼酸鹽，所述的含Cs化合物原料為含銫的氧化物或氫氧化物或碳酸鹽或硝酸鹽或草酸鹽或硼酸鹽，所述的含Be化合物原料為BeO，所述的含B化合物原料為H₃BO₃或B₂O₃。

3.一種權(quán)利要求1所述的化合物硼酸鈹鈉銫的非線性光學(xué)晶體。

4.一種權(quán)利要求3所述的硼酸鈹鈉銫的非線性光學(xué)晶體的生長(zhǎng)方法，采用熔鹽法生長(zhǎng)，其特征在于：采用Na₂O-Cs₂O-B₂O₃助熔劑體系，將含Na、Cs、Be和B的化合物原料按其摩爾比為Na：Cs：Be：B?=?1～4：1～4：2：5～15混合均勻，升溫950～1050℃至原料完全熔化，恒溫1～20小時(shí)后，迅速降溫至飽和溫度以上5～10℃，然后按每日1～5℃的速率降溫至600℃，待樣品冷卻至室溫后，用稀硝酸和水洗去助熔劑，即獲得本發(fā)明低溫相硼酸鈹鈉銫非線性光學(xué)晶體；采用的化合物原料為含Na的氧化物或氫氧化物或碳酸鹽或硝酸鹽或草酸鹽或硼酸鹽、含Cs的氧化物或氫氧化物或碳酸鹽或硝酸鹽或草酸鹽或硼酸鹽、BeO和H₃BO₃或B₂O₃。

5.一種權(quán)利要求3所述的硼酸鈹鈉銫非線性光學(xué)晶體的生長(zhǎng)方法，采用熔鹽法生長(zhǎng)，其特征在于：采用Na₂O-Cs₂O-B₂O₃-MF助熔劑體系，其中M為Na或Cs；將原料按比例混合均勻，升溫950～1050℃至原料完全熔化，恒溫1～20小時(shí)后，迅速降溫至飽和溫度以上5～10℃，將籽晶固定在籽晶桿的下端與熔體液面接觸開始晶體生長(zhǎng)，籽晶桿的旋轉(zhuǎn)速度為10～20轉(zhuǎn)/分，降溫至飽和溫度，然后按1～5℃/天的速率緩慢降溫，降溫結(jié)束后將晶體提離液面，以10～30℃/小時(shí)的速率降至室溫，獲得本發(fā)明的硼酸鈹鈉銫非線性光學(xué)晶體；采用的化合物原料為含Na的氧化物或氫氧化物或碳酸鹽或硝酸鹽或草酸鹽或硼酸鹽、含Cs的氧化物或氫氧化物或碳酸鹽或硝酸鹽或草酸鹽或硼酸鹽、BeO和H₃BO₃或B₂O₃。

6.一種權(quán)利要求5所述的硼酸鈹鈉銫非線性光學(xué)晶體的生長(zhǎng)方法，其特征在于，在M為Na時(shí)，權(quán)利要求5所述的原料與含NaF的助熔劑的摩爾比為：Na₂CO₃：Cs₂CO₃：BeO：B₂O₃：NaF?=?1～4：1～4：4：5～15：0.5～1。

7.一種權(quán)利要求5所述的硼酸鈹鈉銫非線性光學(xué)晶體的生長(zhǎng)方法，其特征在于，在M為Cs時(shí)，權(quán)利要求5所述的原料與含CsF的助熔劑的摩爾比為：Na₂CO₃：Cs₂CO₃：BeO：B₂O₃：CsF?=?1～4：1～4：4：5～15：0.5～1。

8.一種權(quán)利要求3所述的硼酸鈹鈉銫非線性光學(xué)晶體的用途，其特征在于：該非線性光學(xué)晶體用于激光器激光輸出的頻率變換。