[發(fā)明專利]多晶硅太陽(yáng)能電池及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110347657.1
• 申請(qǐng)日: 2011-11-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103094406A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李育舟;徐鳴均;楊世豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 太極能源科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京中譽(yù)威圣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279
• 代理人: 王正茂;李春晅

1.一種多晶硅太陽(yáng)能電池制造方法，其特征在于，包含以下步驟：

提供一多晶硅基板，所述多晶硅基板為第一型；

使所述多晶硅基板的至少一表面粗糙化；

形成一吸光結(jié)構(gòu)于所述多晶硅基板上，其中所述吸光結(jié)構(gòu)的能帶間隙異于所述多晶硅基板的能帶間隙；

在所述表面上摻雜多數(shù)的第二型雜質(zhì)，所述這些第二型雜質(zhì)會(huì)擴(kuò)散進(jìn)入所述吸光結(jié)構(gòu)及所述多晶硅基板的一部分，形成一第二型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，以使所述多晶硅基板具有一第一型區(qū)域及一第二型區(qū)域；

形成一抗反射層于所述吸光結(jié)構(gòu)上；以及

形成電連接所述第一型區(qū)域及所述第二型區(qū)域的一電極結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅太陽(yáng)能電池制造方法，其特征在于，形成所述吸光結(jié)構(gòu)于所述多晶硅基板上的步驟包含：

形成一第一吸光層于所述多晶硅基板上，且所述第一吸光層的能帶間隙異于所述多晶硅基板的能帶間隙。

3.如權(quán)利要求2所述的多晶硅太陽(yáng)能電池制造方法，其特征在于，形成所述吸光結(jié)構(gòu)于所述多晶硅基板上的步驟還包含：

形成一第二吸光層于所述第一吸光層上，所述第一吸光層的能帶間隙異于所述第二吸光層的能帶間隙，且所述第二吸光層的能帶間隙異于所述多晶硅基板的能帶間隙。

4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅太陽(yáng)能電池制造方法，其特征在于，形成所述吸光結(jié)構(gòu)于所述多晶硅基板上的步驟包含：

將所述多晶硅基板置于一設(shè)備的一反應(yīng)室中，采用一第一參數(shù)表并通入多種制程氣體，以形成一第一吸光層于所述多晶硅基板上；以及

將所述多晶硅基板置于所述設(shè)備的所述反應(yīng)室中，采用一第二參數(shù)表并通入所述多種制程氣體形成一第二吸光層于所述第一吸光層上，所述第一吸光層的能帶間隙異于所述第二吸光層的能帶間隙，且所述第一吸光層及所述第二吸光層的能帶間隙異于所述多晶硅基板的能帶間隙。

5.如權(quán)利要求4所述的多晶硅太陽(yáng)能電池制造方法，其特征在于：

在形成所述第一吸光層于所述多晶硅基板上的步驟中，所述這些制程氣體包含H₂、NH₃及SiH₄，且所述第一參數(shù)表包含一第一供電功率及一第一溫度；

在形成所述第二吸光層于所述第一吸光層上的步驟中，所述這些制程氣體包含H₂、NH₃及SiH₄，且所述第二參數(shù)表包含一第二供電功率及一第二溫度，且所述第二供電功率異于所述第一供電功率，及所述第二溫度異于所述第一溫度。

6.如權(quán)利要求5所述的多晶硅太陽(yáng)能電池制造方法，其特征在于，形成所述抗反射層于所述吸光結(jié)構(gòu)上的步驟，包含將所述多晶硅基板置于另一設(shè)備的另一反應(yīng)室中，采用一第三參數(shù)表并通入NH₃及SiH₄的所述制程氣體來(lái)形成所述抗反射層。

7.如權(quán)利要求6所述的多晶硅太陽(yáng)能電池制造方法，其特征在于，所述第一吸光層為一微晶硅層，所述第二吸光層為一非晶硅層，而所述抗反射層為一氮化硅層。

8.如權(quán)利要求3至7中任一項(xiàng)所述的多晶硅太陽(yáng)能電池制造方法，其特征在于，所述第一吸光層及所述第二吸光層的能帶間隙介于1.1eV～1.8eV之間，且所述第二吸光層的能帶間隙大于所述第一吸光層的能帶間隙。

9.如權(quán)利要求5所述的多晶硅太陽(yáng)能電池制造方法，其特征在于，所述制程氣體還包含PH₃。

10.一種多晶硅太陽(yáng)能電池，具有互相連接的一第一型區(qū)域及一第二型區(qū)域，其特征在于，包含：

一多晶硅基板，其為第一型；

一吸光結(jié)構(gòu)，設(shè)于所述多晶硅基板上，所述第二型區(qū)域包含所述吸光結(jié)構(gòu)及所述多晶硅基板的靠近所述吸光結(jié)構(gòu)的一部分，而所述多晶硅基板的另一部分形成所述第二型區(qū)域，且所述吸光結(jié)構(gòu)的能帶間隙異于所述多晶硅基板的能帶間隙；

一抗反射層，設(shè)于所述吸光結(jié)構(gòu)上；以及

一電極結(jié)構(gòu)，電連接所述第一型區(qū)域及所述第二型區(qū)域，借以產(chǎn)生電流。