[發(fā)明專利]鉚釘互聯(lián)結(jié)構(gòu)的圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)及實(shí)現(xiàn)方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110346716.3 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102376734A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張黎;賴志明;陳棟;陳錦輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鉚釘 聯(lián)結(jié) 圖像傳感器 封裝 結(jié)構(gòu) 實(shí)現(xiàn) 方法 | ||
1.?一種鉚釘互聯(lián)結(jié)構(gòu)的圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)及實(shí)現(xiàn)方法,所述結(jié)構(gòu)包括已經(jīng)設(shè)置有芯片內(nèi)部鈍化層(2)、芯片內(nèi)部金屬層(3)及感光區(qū)(4)的芯片本體(1),其特征在于:在芯片本體(1)的上表面設(shè)置有隔離層(6),隔離層(6)覆蓋或不覆蓋感光區(qū);在隔離層(6)上設(shè)置透光蓋板(5),在隔離層(6)不覆蓋感光區(qū)(4)時(shí),透光蓋板(5)、隔離層(6)及芯片本體(1)之間形成空腔(12);在芯片本體(1)上形成硅溝槽(13),且硅溝槽(13)底部直接停止芯片內(nèi)部鈍化層(2)的下表面,使芯片內(nèi)部鈍化層(2)下表面裸露出來(lái);在芯片內(nèi)部鈍化層(2)和芯片內(nèi)部金屬層(3)上形成盲孔Ⅰ(6.1),且盲孔Ⅰ(6.1)停止于隔離層(6)內(nèi)部;在所述盲孔Ⅰ(6.1)內(nèi)以及芯片內(nèi)部鈍化層(2)的下表面形成釘帽(7),在芯片本體(1)下表面、硅溝槽(13)內(nèi)、裸露出的芯片內(nèi)部鈍化層(2)的下表面以及釘帽(7)的帽沿(7-2)的表面選擇性的設(shè)置絕緣層(8),并在所述釘帽(7)下方的絕緣層(8)上設(shè)置開(kāi)口,形成盲孔Ⅱ(8-1),金屬線路層(9)填充于所述盲孔Ⅱ(8-1)內(nèi),形成釘頭(9-1),及選擇的形成于絕緣層(8)表面,釘頭(9-1)與所述釘帽(7)形成鉚釘互聯(lián)結(jié)構(gòu),使金屬線路層(9)與釘帽(7)形成互連,在絕緣層(8)及金屬線路層(9)上選擇性的設(shè)置線路保護(hù)層(10),同時(shí)在金屬線路層(9)露出線路保護(hù)層(10)的地方設(shè)置焊球(11);所述結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法包括以下工藝過(guò)程:
1)、通過(guò)涂覆、曝光、顯影、固化或者單純涂覆工藝在透光蓋板表面形成隔離層;
2)、通過(guò)健合的方法,使隔離層與芯片本體結(jié)合起來(lái);?
3)、通過(guò)晶圓片磨片及應(yīng)力層去除的方法得到芯片本體的目標(biāo)厚度;
4)、通過(guò)光刻結(jié)合硅刻蝕的方法形成硅溝槽;
5)、通過(guò)激光打孔的方式將芯片內(nèi)部鈍化層和芯片內(nèi)部金屬層打開(kāi),在芯片內(nèi)部鈍化和芯片內(nèi)部金屬層上形成盲孔Ⅰ,且盲孔Ⅰ停止于隔離層內(nèi)部;
6)、利用濺射、光刻或電鍍的方式形成釘帽;
7)、利用噴膠工藝,在芯片本體下表面、硅溝槽內(nèi)、裸露出的芯片內(nèi)部鈍化層的下表面以及釘帽的帽沿的表面選擇性的設(shè)置絕緣層;
8)、利用激光打孔方式在所述釘帽下方的絕緣層上開(kāi)口,形成盲孔Ⅱ;
9)、通過(guò)濺射、光刻、電鍍或化學(xué)鍍的方法形成釘頭和金屬線路層;
10)、通過(guò)光刻的方法形成線路保護(hù)層;
11)、通過(guò)放置焊球或印刷焊料,然后回流的方法形成焊球。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉚釘互聯(lián)結(jié)構(gòu)的圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)及實(shí)現(xiàn)方法,其特征在于:所述釘帽(7)的帽頭(7-1)部分填充于所述盲孔Ⅰ(6.1)內(nèi),釘帽(7)的帽沿(7-2)部分緊貼芯片內(nèi)部鈍化層(2)的下表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉚釘互聯(lián)結(jié)構(gòu)的圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)及實(shí)現(xiàn)方法,其特征在于:所述釘頭(9-1)位于釘帽(7)的帽頭(7-1)正下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉚釘互聯(lián)結(jié)構(gòu)的圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)及實(shí)現(xiàn)方法,其特征在于:所述釘頭(9-1)偏出釘帽(7)的帽頭(7-1)正下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉚釘互聯(lián)結(jié)構(gòu)的圖像傳感器封裝結(jié)構(gòu)及實(shí)現(xiàn)方法,其特征在于:所述芯片本體與芯片本體之間部分工藝過(guò)程采用溝槽結(jié)構(gòu)。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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