[發明專利]半導體晶圓輸送方法及半導體晶圓輸送裝置

無效

• 申請號: 201110346411.2
• 申請日: 2011-11-04
• 公開（公告）號: CN102479735A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 山本雅之;長谷幸敏
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種半導體晶圓輸送方法，其用于輸送被樹脂或者粘合帶覆蓋的半導體晶圓，其中，上述方法包含以下過程：

在將處于加熱狀態的上述半導體晶圓輸送到冷卻臺的過程中預冷卻該半導體晶圓。

2.根據權利要求1所述的半導體晶圓輸送方法，其中，

在將處于加熱狀態的上述半導體晶圓輸送到第1冷卻臺的過程中預冷卻該半導體晶圓；

在上述第1冷卻臺冷卻半導體晶圓直至上述樹脂達到?；瘻囟龋?/p>

在將上述樹脂達到?；瘻囟鹊陌雽w晶圓輸送到輸出位置的第2冷卻臺的過程中冷卻該半導體晶圓；

在上述第2冷卻臺將半導體晶圓冷卻到室溫。

3.根據權利要求1所述的半導體晶圓輸送方法，其中，

上述預冷卻是從配備于在輸送路徑上通過的上述半導體晶圓上方的噴嘴吹送氣體而進行冷卻。

4.根據權利要求1所述的半導體晶圓輸送方法，其中，

上述預冷卻是自輸送路徑朝向半導體晶圓的背面吹送氣體而進行冷卻。

5.根據權利要求1所述的半導體晶圓輸送方法，其中，

上述預冷卻是自配備于在輸送路徑上通過的上述半導體晶圓上方的噴嘴吹送氣體，同時自輸送路徑朝向半導體晶圓的背面吹送氣體而進行冷卻。

6.根據權利要求1所述的半導體晶圓輸送方法，其中，

在將規定溫度的處于加熱狀態的上述半導體晶圓冷卻到目標溫度時，為了將半導體晶圓的翹曲量控制在規定范圍，預先求得冷卻溫度和樹脂的收縮率或者粘合帶的收縮率的相關關系，

一邊用檢測器檢測輸送過程中的上述半導體晶圓的溫度及輸送速度，一邊根據檢測結果控制朝向半導體晶圓供給的氣體的溫度、流量及半導體晶圓的輸送速度中的至少任一項。

7.一種半導體晶圓輸送裝置，其用于輸送被樹脂或者粘合帶覆蓋的半導體晶圓，其中，上述裝置包含以下結構：

晶圓輸送部，其用于輸送處于加熱狀態的上述半導體晶圓；

預冷卻噴嘴，其用于朝向由上述晶圓輸送部輸送的半導體晶圓吹送氣體；

保持臺，其用于載置保持經過了預冷卻的上述半導體晶圓；

冷卻器，其用于冷卻上述保持臺上的半導體晶圓。

8.根據權利要求7所述的半導體晶圓輸送裝置，其中，

上述保持臺由第1保持臺和第2保持臺構成，上述第1保持臺包括用于將上述樹脂冷卻到?；瘻囟鹊睦鋮s器，上述第2保持臺包括用于將上述半導體晶圓冷卻到室溫的冷卻器，

上述晶圓輸送部配備于上述第1保持臺的上游側以及該第1保持臺與第2保持臺之間。

9.根據權利要求7所述的半導體晶圓輸送裝置，其中，

上述晶圓輸送部在輸送面上設有第1吹送部和第2吹送部，該第1吹送部用于沿半導體晶圓的輸送方向從該晶圓輸送部的中央部分朝向半導體晶圓背面向正上方吹送氣體，該第2吹送部用于從半導體晶圓的寬度方向朝向半導體晶圓背面向中央傾斜地吹送氣體，以使半導體晶圓懸浮于在半導體晶圓寬度方向上具有規定余量的大于該半導體晶圓的輸送面上的狀態輸送該半導體晶圓，

調整從上述預冷卻噴嘴、第1吹送部及第2吹送部供給的氣體的流量，來控制半導體晶圓的移動并控制半導體晶圓的冷卻。

10.根據權利要求7所述的半導體晶圓輸送裝置，其中，該裝置還包括：

多個溫度檢測器，其用于檢測在上述晶圓輸送部上輸送的半導體晶圓的溫度和上述保持臺上的半導體晶圓的溫度；

速度檢測器，其用于檢測由上述晶圓輸送部輸送的上述半導體晶圓的輸送速度；

存儲部，在將規定溫度的處于加熱狀態的上述半導體晶圓冷卻到目標溫度時，為了將半導體晶圓的翹曲量控制在規定范圍內，預先求得冷卻溫度和樹脂的收縮率或者粘合帶的收縮率的相關關系并將該相關關系存儲于該存儲部；

控制部，用上述溫度檢測器和速度檢測器檢測由上述晶圓輸送部輸送的上述半導體晶圓的溫度和輸送速度，該控制部根據該檢測結果從存儲部選擇用于設定變更朝向半導體晶圓供給的氣體的溫度、流量及半導體晶圓的輸送速度中的至少任一項的條件，來控制半導體晶圓的溫度。