[發明專利]具有帶多個同樣構造導體跡線組的基底的功率半導體模塊

有效

• 申請號: 201110345308.6
• 申請日: 2011-11-04
• 公開（公告）號: CN102456635A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 克里斯蒂安·約布爾
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L25/18;H01L23/48
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 車文;樊衛民

1.功率半導體模塊(1)，所述功率半導體模塊具有至少一個基底(2)和至少兩個負載連接元件(50、60、70)，所述基底具有多個同心地圍繞所述基底的中點布置的導體跡線組(4)，其中，每個導體跡線組(4)設置有不同電勢的至少兩個導體跡線(10、20、30)，并且在不同電勢的至少兩個導體跡線(10、20)上分別設置有至少一個功率半導體器件(12a/b、22a/b)，所述負載連接元件分別具有基體(52、62、72)和至少一個接觸元件(54、64、74)，其中，所述基體(52、62、72)相對彼此且相對于所述基底(2)的中點同心地以及彼此緊鄰地布置，并且其中，各自至少一個接觸元件(52、62、72)處在與所配屬的導體跡線(10、20、30)的接觸面(16、26、36)或者與至少一個布置在導體跡線(20)上的功率半導體器件(22a、22b)的接觸面(38)的導電接觸中。

2.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

每個導體跡線組(4)設置有恰好三個導體跡線(10、20、30)，一個帶有正的電勢、一個帶有負的電勢且一個帶有交變的電勢，并且在這種情況下，在帶有正的直流電壓電勢的那個導體跡線(10)上和在帶有交變的電勢的那個導體跡線(20)上設置有所述功率半導體器件(12a/b、22a/b)。

3.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

所述至少一個所述功率半導體器件構造為晶閘管、二極管、場效應管，或構造為由雙極晶體管(12a、22a)和反并聯連接的二極管(12b、22b)構成的組合。

4.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

至少一個負載連接元件(50、60、70)的所述基體(52、62、72)構造為帶有與其一件式連接的接觸元件(52、62、72)的空心圓柱。

5.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

配屬于正的和負的電勢的所述負載連接元件(50、70)的所述基體(52、72)彼此緊鄰地且彼此電絕緣地布置。

6.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

所述負載連接元件(50、60、70)額外地具有外部的連接裝置(56、66、76)。

7.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

所述基底(2)呈盤形地構造，并且所述導體跡線組(4)設計為扇形。

8.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

所有導體跡線組(4)相同方式地以同樣的幾何設計方案構造，并且相對彼此偏轉地布置

9.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

所述基底(2)具有中心缺口(82)。

10.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中，

所述負載連接元件與所述基底或所述功率半導體器件力鎖合地連接，并且借助于加壓裝置(80)的穿過所述中心缺口(80)的產生壓力的裝置將壓力導入到所述負載連接元件(50、60、70)上，用于使所述負載連接元件與所述接觸面(16、26、36、38)力鎖合地接觸。