[發(fā)明專利]偶極環(huán)磁路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110345026.6 | 申請日： | 2011-11-04 |
| 公開（公告）號： | CN102456464A | 公開（公告）日： | 2012-05-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 小林秀樹 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01F7/02 | 分類號： | H01F7/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京市隆安律師事務所 11323 | 代理人： | 權鮮枝 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 偶極環(huán) 磁路 | ||
1.一種偶極環(huán)磁路，包括多個永磁體片，上述多個永磁體片以環(huán)形設置以使磁化方向繞上述環(huán)形的半周做一個旋轉，
其中，上述永磁體片以均勻的強度在被上述永磁體片圍繞的內部空間產生基本單向的磁場；
上述永磁體片中的兩個或多個在垂直于上述環(huán)形的中心軸的平面上具有相對于上述磁場的方向形成從150度到210度的角度的磁化方向，且被稱為“特定磁體片”；并且
至少在每個特定磁體片中，隨著沿上述環(huán)形的徑向到達上述內部空間的距離的減小，磁矯頑力的值增加。
2.根據權利要求1所述的偶極環(huán)磁路，
其中，上述多個永磁體片中的每個均是NdFeB稀土磁體；并且
至少在每個特定磁體片中，隨著沿上述環(huán)形的徑向到達上述內部空間的距離的減小，Dy或Tb的濃度增加。
3.根據權利要求1或2所述的偶極環(huán)磁路，其中，多個永磁體片中的每個在上述磁路的徑向上的尺寸是從20mm到150mm。
4.根據權利要求1所述的偶極環(huán)磁路，
其中，上述多個永磁體片中的每個均是NdFeB稀土磁體；
每個特定磁體片沿上述環(huán)形的徑向被分割成兩個或多個分割部分；
每個面向上述內部空間的分割部分的磁矯頑力大于每個其他分割部分的磁矯頑力。
5.根據權利要求1所述的偶極環(huán)磁路，
其中，上述多個永磁體片中的每個均是NdFeB稀土磁體；
每個特定磁體片的磁矯頑力大于除了上述特定磁體片之外的多個永磁體片中的每個的磁矯頑力。
6.根據權利要求1到5中任一項所述的偶極環(huán)磁路，其中，特定磁體片中的磁矯頑力的最大差、或者特定磁體片和其他磁體片之間的磁矯頑力的最大差至少是300kA/m。
7.一種磁場退火裝置，包括根據權利要求1到6中任一項所述的偶極環(huán)磁路。
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