[發(fā)明專利]放大器感測(cè)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110344989.4
• 申請(qǐng)日: 2011-11-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102637448A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C7/06
• 分類號(hào): G11C7/06;G11C11/413
• 代理公司: 北京德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及放大器感測(cè)(sense)。

背景技術(shù)

通常，用于SRAM存儲(chǔ)器單元的單端感測(cè)需要讀位線的全擺幅。然而，對(duì)全擺幅進(jìn)行顯影，尤其是在將位線連接至大量存儲(chǔ)器單元導(dǎo)致讀位線具有大負(fù)載的情況下，需要花費(fèi)時(shí)間。在感測(cè)之前等待將顯影的全擺幅，導(dǎo)致讀操作緩慢。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提出了一種電路，包括：第一讀位線，連接第一存儲(chǔ)器陣列的多個(gè)第一存儲(chǔ)器單元和第一參考單元；第一讀位線具有第一讀位線電壓；第二讀位線，連接第二存儲(chǔ)器陣列的多個(gè)第二存儲(chǔ)器單元和第二參考單元；第二讀位線具有第二讀位線電壓；以及讀出放大器，被配置為接收第一讀位線作為第一輸入端并且接收第二讀位線作為第二輸入端；其中，當(dāng)讀取多個(gè)第一存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元時(shí)：讀取激活存儲(chǔ)器單元；第一參考單元配置為截止；第二參考單元配置為導(dǎo)通；以及讀出放大器配置為提供結(jié)果，結(jié)果基于第一讀位線電壓和第二讀位線電壓之間的電壓差反應(yīng)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)邏輯。

其中，在讀出放大器配置為提供結(jié)果以前，將第一讀位線和第二讀位線配置為充電至高電壓電平。

其中，第二參考單元為電流吸收電路，被配置為將第二讀位線電壓拉至低于充電的高電壓電平的電壓電平。

其中，第二參考單元包括：

下拉電路，包括：第一晶體管，具有第一漏極、第一源極、以及第一柵極；和第二晶體管，具有第二漏極、第二源極、以及第二柵極；第一漏極連接至第二讀位線；第一源極連接至第二漏極；以及電流吸收電路，連接至第二源極并且被配置為吸收流過(guò)第二讀位線、第一晶體管、以及第二晶體管的電流。

其中，存儲(chǔ)器單元包括：存儲(chǔ)器讀電路，具有第一存儲(chǔ)器晶體管，第一存儲(chǔ)器晶體管具有第一存儲(chǔ)器漏極、第一存儲(chǔ)器源極、以及第一存儲(chǔ)器柵極；以及第二存儲(chǔ)器晶體管，具有第二存儲(chǔ)器漏極、第二存儲(chǔ)器源極、以及第二存儲(chǔ)器柵極；第一存儲(chǔ)器漏極連接至第一讀位線；以及第一存儲(chǔ)器源極連接至第二存儲(chǔ)器漏極。

其中，電流吸收電路包括至少一個(gè)晶體管，連接至第二源極。

其中，電流吸收電路包括至少一個(gè)第一電流吸收電路，第一電流吸收電路包括：第三晶體管，具有第三漏極、第三源極、以及第三柵極；第四晶體管，具有第四漏極、第四源極、以及第四柵極；第五晶體管，具有第五漏極、第五源極、以及第五柵極；以及第六晶體管，具有第六漏極、第六源極、以及第六柵極；

其中，第三漏極、第四漏極、以及第二源極連接在一起，并且用作連接節(jié)點(diǎn)；第三源極和第五漏極連接在一起；以及第四源極和第六漏極連接在一起。

其中：至少一個(gè)第一電流吸收電路包括：多個(gè)第二電流吸收電路；多個(gè)第二電流吸收電路的每個(gè)第二電流吸收電路對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器陣列的行；以及多個(gè)第二電流吸收電路的連接節(jié)點(diǎn)連接在一起。

其中，當(dāng)讀取多個(gè)第一存儲(chǔ)器單元中的存儲(chǔ)器單元時(shí)，存儲(chǔ)器單元被配置為吸收存儲(chǔ)器電流，并且第二參考單元被配置為吸收低于存儲(chǔ)器電流的參考電流。

本發(fā)明還涉及一種方法，包括：將第一位線和第二位線充電至高電壓值，其中，第一位線連接至多個(gè)第一存儲(chǔ)器單元和讀出放大器的第一輸入端并且第二位線連接至多個(gè)第二存儲(chǔ)器單元和讀出放大器的第二輸入端；從而第一位線和第二位線具有第一位線高電壓值和第二位線高電壓值；降低第一位線高電壓值，產(chǎn)生低于第二位線高電壓值的參考電壓值；使用存儲(chǔ)在電連接至第二位線的存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)，以使第二位線高電壓值保持不變或者低于參考電壓值；以及讀出放大器提供輸出，輸出基于參考電壓值和第二位線的電壓值之間的電壓差反應(yīng)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)。

其中，使用數(shù)據(jù)包括：將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)傳送至晶體管的柵極；數(shù)據(jù)通過(guò)保持晶體管為截止?fàn)顟B(tài)使第二位線高電壓值保持不變；數(shù)據(jù)通過(guò)具有導(dǎo)通狀態(tài)的晶體管來(lái)使第二位線高電壓值低于參考電壓值。

其中，降低第一位線高電壓值包括：使用連接至第一位線的電流吸收電路。

其中，電流吸收電路包括：第一晶體管，具有第一漏極、第一源極、以及第一柵極；第二晶體管，具有第二漏極、第二源極、以及第二柵極；以及至少一個(gè)第三晶體管：

其中：第一漏極連接至第一位線；第一源極和第二漏極連接在一起；以及至少一個(gè)第三晶體管連接至第二源極。

其中，至少一個(gè)第三晶體管包括：第三晶體管，具有連接至第二源極的漏極，以及至少一個(gè)第四晶體管，與第三晶體管串聯(lián)連接、或者并聯(lián)連接、或者串聯(lián)且并聯(lián)連接。