[發明專利]電容器系統和用于制造電容器系統的方法

有效

• 申請號: 201110344847.8
• 申請日: 2011-11-04
• 公開（公告）號: CN102543423A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 弗蘭克·埃伯斯貝格爾;彼得·貝克達爾;哈特姆特·庫拉斯;彼得·肖特
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01G2/10
• 分類號: H01G2/10;H01G2/08;H01G4/33;H05K7/02;H05K7/20;H02M1/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 車文;樊衛民

1.電容器系統(100)，具有：

具備凹陷部(11)的金屬成型體(10)；

至少部分布置在所述凹陷部(11)中的未裝設殼體的電容器(20)；

至少部分在所述電容器(20)與所述金屬成型體(10)之間布置在所述凹陷部(11)中的由電絕緣材料制成的間距保持件(30)；以及

設置在所述凹陷部(11)中的電絕緣的灌封材料(40)，

其中，所述間距保持件(30)和所述灌封材料(40)將所述電容器(20)以如下方式布置在所述凹陷部(11)中，即：使所述電容器(20)不碰觸所述金屬成型體(10)并且相對于所述金屬成型體(10)電絕緣。

2.按權利要求1所述的電容器系統(100)，其中，所述電容器(20)具有至少兩個金屬的接觸電極(21、22)以及至少兩個電極和電介質的疊層(25)，所述接觸電極(21、22)直接布置在所述疊層(25)的各個外部面上，并且

所述接觸電極(21、22)形成所述電容器(20)的外部面的至少一部分。

3.按權利要求2所述的電容器系統(100)，其中，所述間距保持件(30)與所述疊層(25)和/或至少與所述接觸電極(21、22)中的一個和/或與所述金屬成型體(10)直接相鄰。

4.按前述權利要求之一所述的電容器系統(100)，其中，所述間距保持件(30)具有至少一個開口(31)，所述灌封材料(40)穿過所述開口(31)在所述電容器(20)與所述金屬成型體(10)之間形成連貫的連接進而還有熱量傳遞。

5.按前述權利要求之一所述的電容器系統(100)，其中，所述間距保持件(30)是為精確配合地容納所述電容器(20)而成型的空心體。

6.按前述權利要求之一所述的電容器系統(100)，其中，所述金屬成型體(10)是水冷的冷卻體。

7.功率半導體模塊(200)，具有：

功率半導體電路(210)；以及

按前述權利要求之一所述的電容器系統(100)，

其中，

所述金屬成型體(10)構造為冷卻體，并且

所述功率半導體電路(210)相對于所述金屬成型體(10)布置。

8.按從屬于權利要求2的權利要求7所述的功率半導體模塊(200)，其中，所述功率半導體電路(210)具有直接與所述電容器(20)的所述接觸電極(21、22)導電連接的接觸連接部(211)。

9.用于制造電容器系統(100)的方法，所述方法具有如下步驟：

·將電容器(20)布置在由電絕緣材料制成的間距保持件(30)中；

·將所述電容器(20)連同所述間距保持件(30)一起至少部分布置在金屬成型體(10)的凹陷部(11)中；以及

·將電絕緣的灌封材料(40)引入通過所述間距保持件(30)在所述電容器(20)與所述凹陷部(11)之間形成的空腔中。

10.用于制造電容器系統(100)的方法，所述方法具有如下步驟：

·將電容器(20)布置在由電絕緣材料制成的間距保持件(30)中；

·將電絕緣的灌封材料(40)引入金屬成型體(10)的凹陷部(11)中；以及

·將所述電容器(20)連同所述間距保持件(30)一起至少部分布置在所述金屬成型體(10)的所述凹陷部(11)中，其中，所述灌封材料(40)在此流入通過所述間距保持件(30)在所述電容器(20)與所述凹陷部(11)之間形成的空腔中。

11.按權利要求9或10所述的方法，其中，所述間距保持件(30)確保：在將所述電容器(20)布置在所述金屬成型體(10)的所述凹陷部(11)中時，所述電容器(20)不碰觸所述金屬成型體(10)。

12.按權利要求9-11之一所述的方法，其中，所述間距保持件(30)具有至少一個開口(31)，所述灌封材料(40)穿過所述開口(31)在所述電容器(20)與所述金屬成型體(10)之間形成連貫的熱量傳遞。

13.按權利要求9-12之一所述的方法，其中，所述間距保持件(30)是為精確配合地容納所述電容器(20)而成型的空心體。

14.按權利要求9-13之一所述的方法，其中，所述金屬成型體(10)是水冷的冷卻體。