[發(fā)明專利]一種抗總劑量輻射效應(yīng)的倒比例或小比例NMOS管版圖結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110344706.6
• 申請日: 2011-11-03
• 公開（公告）號: CN102412304A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅靜;徐睿;鄒文英;薛忠杰;周昕杰;胡永強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/43
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 32104
• 代理人: 殷紅梅

1.?一種抗總劑量輻射效應(yīng)的倒比例NMOS管版圖結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體基板及位于所述半導(dǎo)體基板上的有源區(qū)（1）；其特征是：所述半導(dǎo)體基板的有源區(qū)（1）內(nèi)淀積有多晶柵（2），所述有源區(qū)（1）內(nèi)對應(yīng)淀積形成多晶柵（2）的兩端內(nèi)分別設(shè)置源端注入保護(hù)環(huán)及漏端注入保護(hù)環(huán)，在所述源端注入保護(hù)環(huán)與漏端注入保護(hù)環(huán)內(nèi)通過離子注入分別形成源端（3）及漏端（15）；所述源端（3）及漏端（15）均被多晶柵（2）包圍，且源端（3）與漏端（15）間通過多晶柵（2）隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗總劑量輻射效應(yīng)的倒比例NMOS管版圖結(jié)構(gòu)，其特征是：所述多晶柵（2）呈條形，多晶柵（2）的一端設(shè)置柵極引出端（19），所述柵極引出端（19）延伸有源區(qū)（1）外，且柵極引出端（19）對應(yīng)于與多晶柵（2）相連的另一端設(shè)置柵極接觸孔（4）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗總劑量輻射效應(yīng)的倒比例NMOS管版圖結(jié)構(gòu)，其特征是：所述源端（3）內(nèi)設(shè)置源端接觸孔（16）。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗總劑量輻射效應(yīng)的倒比例NMOS管版圖結(jié)構(gòu)，其特征是：所述漏端（15）內(nèi)設(shè)置漏端接觸孔（18）。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗總劑量輻射效應(yīng)的倒比例NMOS管版圖結(jié)構(gòu)，其特征是：所述有源區(qū)（1）內(nèi)設(shè)置注入保護(hù)環(huán)（5），所述注入保護(hù)環(huán)（5）覆蓋有源區(qū)（1）及所述有源區(qū)（1）內(nèi)多晶柵（2）的端部邊緣，且注入保護(hù)環(huán)（5）延伸環(huán)繞出有源區(qū)（1）的外圈；有源區(qū)（1）內(nèi)設(shè)置襯底電位接觸孔（17）。

6.一種抗總劑量輻射效應(yīng)的小比例NMOS管版圖結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體基板及位于所述半導(dǎo)體基板上的有源區(qū)（1）；其特征是：所述半導(dǎo)體基板的有源區(qū)（1）內(nèi)淀積有多晶柵（2），所述有源區(qū)（1）對應(yīng)淀積形成的多晶柵（2）內(nèi)分別設(shè)置源端注入保護(hù)環(huán)及漏端注入保護(hù)環(huán)，在有源區(qū)（1）的源端注入保護(hù)環(huán)與漏端注入保護(hù)環(huán)內(nèi)通過離子注入分別形成源端（3）及漏端（15），所述源端（3）及漏端（15）均被有源區(qū)（1）內(nèi)的多晶柵（2）包圍，且源端（3）與漏端（15）間通過多晶柵（2）隔離。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的抗總劑量輻射效應(yīng)的小比例NMOS管版圖結(jié)構(gòu)，其特征是：所述多晶柵（2）呈方形，所述源端（3）及漏端（15）對稱分布于多晶柵（2）的兩側(cè)；多晶柵（2）上設(shè)置柵極引出端（19），所述柵極引出端（19）從多晶柵（2）上延伸出有源區(qū)（1）外，且柵極引出端（19）對應(yīng)延伸出有源區(qū)（1）外的端部設(shè)置柵極接觸孔（4）。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的抗總劑量輻射效應(yīng)的小比例NMOS管版圖結(jié)構(gòu)，其特征是：所述源端（3）內(nèi)設(shè)置源端接觸孔（16）。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的抗總劑量輻射效應(yīng)的小比例NMOS管版圖結(jié)構(gòu)，其特征是：所述漏端（15）內(nèi)設(shè)置漏端接觸孔（18）。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的抗總劑量輻射效應(yīng)的倒比例NMOS管版圖結(jié)構(gòu)，其特征是：所述有源區(qū)（1）內(nèi)設(shè)置注入保護(hù)環(huán)（5），所述注入保護(hù)環(huán)（5）覆蓋有源區(qū)（1）及所述有源區(qū)（1）內(nèi)多晶柵（2）的端部邊緣，且注入保護(hù)環(huán)（5）延伸環(huán)繞出有源區(qū)（1）的外圈；有源區(qū)（1）內(nèi)設(shè)置襯底電位接觸孔（17）。