[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201110344666.5
• 申請日: 2011-11-04
• 公開（公告）號: CN102468245A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 安川浩永
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/34;H01L21/56;H01L21/48
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種半導體裝置，包括：

基板，包括表面上的電極焊盤；

半導體芯片，設置在該基板上，以電連接到該電極焊盤；

第一樹脂層，形成在該基板上，并且還填充在該基板和該半導體芯片之間；以及

第二樹脂層，層疊在該第一樹脂層上，該第二樹脂層的彈性模量大于該第一樹脂層的彈性模量。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該第二樹脂層的上表面位于該半導體芯片的上表面之下。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括冷卻構件和熱界面材料層，該冷卻構件提供在該半導體芯片上且用于散發該半導體芯片的熱量，該熱界面材料層與該冷卻構件熱連接。

4.一種制造半導體裝置的方法，包括：

將半導體芯片設置在基板上，以電連接到該基板的表面上形成的電極焊盤；

通過轉移模制法，在該基板上以及該基板和該半導體芯片之間形成第一樹脂層；以及

通過轉移模制法，形成層疊在該第一樹脂層上的第二樹脂層，該第二樹脂層的彈性模量大于該第一樹脂層的彈性模量。

5.根據權利要求4所述的制造半導體裝置的方法，其中該第二樹脂層形成為該第二樹脂層的上表面位于在該半導體芯片的上表面之下。