[發明專利]氧化鎢阻變存儲器的制備方法

有效

• 申請號: 201110344324.3
• 申請日: 2011-11-04
• 公開（公告）號: CN103094473A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 唐立文;郁新舉;陳昊瑜;陳廣龍;陳華倫;袁苑
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種氧化鎢阻變存儲器的制備方法，其特征在于：在形成氧化鎢阻變存儲單元后，包括步驟：

步驟一、采用淀積工藝在所述氧化鎢阻變存儲單元的頂部表面和側面形成氮硅化合物犧牲層；

步驟二、對所述氮硅化合物犧牲層進行回蝕刻處理，將位于所述氧化鎢阻變存儲單元的頂部表面的所述氮硅化合物犧牲層去除，在所述氧化鎢阻變存儲單元的側面形成由所述氮硅化合物犧牲層組成的側壁阻擋層；

步驟三、形成頂層金屬層，所述頂層金屬層和所述氧化鎢阻變存儲單元的頂部表面接觸；所述側壁阻擋層將所述頂層金屬層和位于所述氧化鎢阻變存儲單元底部的金屬層隔離。

2.如權利要求1所述的氧化鎢阻變存儲器的制備方法，其特征在于：形成氧化鎢阻變存儲單元的步驟為：

形成一絕緣介質層；

采用光刻刻蝕工藝在要形成所述氧化鎢阻變存儲單元的區域形成通孔；

在所述通孔的側壁表面和底部表面形成鈦氮化合物阻擋層；

在所述通孔內淀積鎢將所述通孔完全填充；

將位于所述通孔的頂部的部分所述鎢氧化形成所述氧化鎢阻變存儲單元，所述鎢氧化后會變厚，使得形成的所述氧化鎢阻變存儲單元的頂部高于所述絕緣介質層表面；所述氧化鎢阻變存儲單元的底部和所述鎢接觸，所述氧化鎢阻變存儲單元的位于所述絕緣介質層表面以下的側面和所述鈦氮化合物阻擋層接觸，所述鈦氮化合物阻擋層和后續形成的所述頂層金屬層通過所述側壁阻擋層隔離。

3.如權利要求2所述的氧化鎢阻變存儲器的制備方法，其特征在于：所述絕緣介質層形成于形成有底部電路圖形的基底上，所述底部電路圖形是在所述基底上淀積一層底層金屬層、或淀積一層底層硅，再通過光刻刻蝕工藝形成，所述底部電路圖形和形成于所述通孔底部的所述鈦氮化合物阻擋層接觸連接。

4.如權利要求2所述的氧化鎢阻變存儲器的制備方法，其特征在于：所述鎢氧化采用熱氧化工藝進行氧化，所述熱氧化的溫度為400℃～800℃，氧化后形成的所述氧化鎢阻變存儲單元的厚度為200埃～2000埃。

5.如權利要求2所述的氧化鎢阻變存儲器的制備方法，其特征在于：接觸孔和所述氧化鎢阻變存儲單元集成在一起形成，集成所述接觸孔時，在步驟二之后、步驟三之前還包括步驟：采用光刻刻蝕工藝對要形成所述氧化鎢阻變存儲單元的區域用光刻抗蝕劑保護起來、對要形成所述接觸孔的區域暴露出來；以光刻抗蝕劑為掩模，采用干法刻蝕工藝將形成于所述接觸孔的區域的所述氧化鎢阻變存儲單元和所述側壁阻擋層去除，所述接觸孔僅由填充于所述通孔中的所述鎢及所述鈦氮化合物阻擋層組成。