[發(fā)明專利]基板處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110344163.8 | 申請日: | 2011-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN102468154A | 公開(公告)日: | 2012-05-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 古屋敦城;佐藤亮 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/3065 | 分類號: | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 | ||
1.一種基板處理方法,對設(shè)置于等離子體處理裝置的能夠減壓的處理容器內(nèi)的被處理基板實(shí)施利用等離子體的處理,其中,
上述等離子體處理裝置具備:
基板保持部,其配置于上述處理容器內(nèi),構(gòu)成用于載置保持上述被處理基板的載置臺;
導(dǎo)熱氣體流路,其將來自導(dǎo)熱氣體提供源的導(dǎo)熱氣體提供到上述基板保持部與被保持在該基板保持部的基板保持面上的被處理基板之間;
流量傳感器,其檢測向上述導(dǎo)熱氣體流路流出的導(dǎo)熱氣體流量;
高頻電源,其將用于產(chǎn)生上述等離子體的高頻電力提供到上述處理容器內(nèi);以及
處理氣體提供部,其將通過上述高頻電力被等離子體化的處理氣體提供到上述處理容器內(nèi),
該基板處理方法具有以下步驟:
調(diào)壓步驟,以使上述導(dǎo)熱氣體成為規(guī)定壓力的方式,從上述導(dǎo)熱氣體提供源將上述導(dǎo)熱氣體提供到上述基板保持部與上述被處理基板之間;以及
放電步驟,當(dāng)通過開始提供上述導(dǎo)熱氣體而暫時上升的上述導(dǎo)熱氣體的流量降低并穩(wěn)定之前成為規(guī)定的調(diào)壓結(jié)束基準(zhǔn)值以下時,對上述處理容器內(nèi)提供高頻電力來開始放電,在上述基板保持面上的被處理基板上產(chǎn)生上述處理氣體的等離子體,
其中,在上述放電步驟中,在導(dǎo)熱氣體流量穩(wěn)定之前的時刻設(shè)置多個判斷點(diǎn),在各判斷點(diǎn)處,當(dāng)由上述流量傳感器檢測出的導(dǎo)熱氣體流量超過規(guī)定的閾值時判斷為存在基板偏移,針對每個判斷點(diǎn)設(shè)定上述閾值,由此不需要等待上述導(dǎo)熱氣體流量的穩(wěn)定就進(jìn)行基板偏移判斷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法,其特征在于,
根據(jù)上述導(dǎo)熱氣體的過去的流量或者流量變化量來決定各上述判斷點(diǎn)的閾值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理方法,其特征在于,
上述過去的流量或者流量變化量是在本次基板處理之前執(zhí)行的基板處理中的同一判斷點(diǎn)的流量或者流量變化量的平均值。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理方法,其特征在于,
上述過去的流量或者流量變化量是本次基板處理中緊挨著本次判斷點(diǎn)的前一判斷點(diǎn)的流量或者流量變化量。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中的任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其特征在于,
在上述放電步驟中具有在開始放電之后使上述導(dǎo)熱氣體的壓力上升的步驟的情況下,在壓力即將上升之前停止上述基板偏移判斷,在壓力上升之后立即重新啟動上述基板偏移判斷。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理方法,其特征在于,
從上述放電開始之后至上述導(dǎo)熱氣體的壓力上升之前設(shè)定判斷點(diǎn),在進(jìn)行上述基板偏移判斷之后使上述導(dǎo)熱氣體的壓力上升。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理方法,其特征在于,
關(guān)于上述導(dǎo)熱氣體的壓力上升之前的判斷點(diǎn),僅在上述導(dǎo)熱氣體的壓力即將上升之前設(shè)定一個判斷點(diǎn)來進(jìn)行上述基板偏移判斷。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理方法,其特征在于,
關(guān)于上述導(dǎo)熱氣體的壓力上升之前的判斷點(diǎn),從放電開始之后至導(dǎo)熱氣體的壓力上升之前設(shè)定多個判斷點(diǎn)來進(jìn)行上述基板偏移判斷。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中的任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其特征在于,
由上述高頻電源向上述處理容器內(nèi)提供上述高頻電力是通過對設(shè)置于上述處理容器內(nèi)的基座施加高頻電力來進(jìn)行的。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





